取向性磷灰石型氧化物离子导体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980006912.0

申请日：

2019-02-14

公开(公告)号：

CN111527567B

公开(公告)日：

2020-08-11

发明(设计)人：

井手慎吾城勇介

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01M81246

IPC分类号：

H01M8126 H01B106 H01B108 H01B1300 C04B3550 C04B3516 G01N27409 G01N2741 G01N23207 G01N232055

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈建全

法律状态：

授权

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

取向性磷灰石型氧化物离子导体及其制造方法 [P].

井手慎吾 ;

阿武裕一 ;

井筒靖久 ;

大村淳 ;

石井林太郎 ;

加畑实 .

中国专利 :CN107078316B ,2017-08-18

[2]

基板/取向性磷灰石型复合氧化物膜复合体及其制造方法 [P].

井手慎吾 ;

井筒靖久 .

中国专利 :CN107709603A ,2018-02-16

[3]

胶原/磷灰石取向性材料、及胶原/磷灰石取向性材料的制造方法 [P].

中野贵由 ;

松垣艾拉 ;

石本卓也 ;

佐久太郎 ;

礒部仁博 .

中国专利 :CN103124567B ,2013-05-29

[4]

磷灰石及其制造方法，以及磷灰石基材 [P].

渡部俊也 ;

若村正人 ;

长沼靖雄 .

中国专利 :CN1953808A ,2007-04-25

[5]

磷灰石及其制造方法,以及磷灰石基材 [P].

渡部俊也 ;

若村正人 ;

长沼靖雄 .

中国专利 :CN101492157A ,2009-07-29

[6]

氧化物超导体、取向氧化物薄膜、以及用于制造氧化物超导体的方法 [P].

荒木猛司 ;

林真理子 ;

山田紘 ;

福家浩之 .

中国专利 :CN103325936A ,2013-09-25

[7]

氧化物超导导体及其制造方法 [P].

五十岚光则 .

中国专利 :CN102834879A ,2012-12-19

[8]

氧化物半导体及其制造方法 [P].

兰林锋 ;

肖鹏 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN102832235A ,2012-12-19

[9]

氧化物超导导体及其制造方法 [P].

尾锅和宪 ;

齐藤隆 ;

鹿岛直二 ;

长屋重夫 .

中国专利 :CN1302487C ,2003-02-05

[10]

p-型氧化物半导体及其制造方法 [P].

藤田静雄 ;

金子健太郎 ;

织田真也 ;

人罗俊实 .

中国专利 :CN109643660A ,2019-04-16

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-03	授权	授权
2020-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 1/06 申请日:20190214
2020-08-11	公开	公开