一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320253995.3

申请日：

2013-05-11

公开(公告)号：

CN203310788U

公开(公告)日：

2013-11-27

发明(设计)人：

胡明马双云曾鹏李明达闫文君

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

G01N2700

IPC分类号：

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

张宏祥

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-27	授权	授权
2019-04-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 27/00 申请日:20130511 授权公告日:20131127 终止日期:20180511

共 50 条

[1]

多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

曾鹏 ;

李明达 ;

闫文君 .

中国专利 :CN103245696A ,2013-08-14

[2]

一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料的制备方法 [P].

胡明 ;

曾鹏 ;

马双云 ;

闫文君 ;

李明达 .

中国专利 :CN103046021A ,2013-04-17

[3]

氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备方法 [P].

胡明 ;

秦岳 ;

周立伟 ;

强晓永 ;

赵博硕 .

中国专利 :CN108490038A ,2018-09-04

[4]

一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线气敏传感器的制备方法 [P].

唐子龙 ;

徐宇兴 ;

张中太 .

中国专利 :CN101318704A ,2008-12-10

[5]

多孔硅基氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器的制备方法 [P].

胡明 ;

魏玉龙 ;

闫文君 ;

王登峰 ;

袁琳 .

中国专利 :CN104634824A ,2015-05-20

[6]

一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构的制备方法 [P].

胡明 ;

魏玉龙 ;

闫文君 ;

马文锋 ;

张玮祎 .

中国专利 :CN104655802A ,2015-05-27

[7]

铜掺杂多孔硅基氧化钨室温气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

李明达 ;

曾鹏 ;

闫文君 ;

马双云 .

中国专利 :CN103389334A ,2013-11-13

[8]

一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线氨敏传感器的制备方法 [P].

唐子龙 ;

徐宇兴 ;

张中太 .

中国专利 :CN101318703A ,2008-12-10

[9]

用于室温的多孔硅基氧化钨复合结构气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

魏玉龙 ;

袁琳 ;

张玮祎 ;

王登峰 .

中国专利 :CN104634825A ,2015-05-20

[10]

基于硅-氧化钨纳米线异质结构的气敏元件及其制备方法和应用 [P].

秦玉香 ;

王泽峰 ;

刘雕 ;

崔震 .

中国专利 :CN108572196A ,2018-09-25

← 1 2 3 4 5 →