一种MPCVD金刚石膜基片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821433611.5

申请日：

2018-09-03

公开(公告)号：

CN209178474U

公开(公告)日：

2019-07-30

发明(设计)人：

龚闯吴剑波朱长征余斌

申请人：

申请人地址：

201799 上海市青浦区华浦路500号2幢西侧

IPC主分类号：

C23C1627

IPC分类号：

C23C16511 C23C16513 C23C16517 C23C1654

代理机构：

上海精晟知识产权代理有限公司 31253

代理人：

冯子玲

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/27 变更事项:专利权人变更前:上海征世科技有限公司变更后:上海征世科技股份有限公司变更事项:地址变更前:201799 上海市青浦区华浦路500号2幢西侧变更后:201799 上海市青浦区华浦路500号2幢西侧

共 50 条

[1]

一种MPCVD金刚石石膜基片 [P].

满卫东 ;

龚闯 ;

朱长征 ;

吴剑波 ;

蒋梅荣 .

中国专利 :CN214004777U ,2021-08-20

[2]

一种CVD金刚石膜片 [P].

龚闯 ;

吴剑波 ;

朱长征 ;

余斌 .

中国专利 :CN209320405U ,2019-08-30

[3]

一种基于MPCVD法制备金刚石膜的基片台 [P].

李庆利 ;

甄西合 ;

赵丽媛 ;

刘得顺 ;

朱逢锐 ;

徐悟生 ;

刘畅 ;

徐超 ;

张钦辉 .

中国专利 :CN216514120U ,2022-05-13

[4]

具有凹槽结构的金刚石膜 [P].

龚闯 ;

吴剑波 ;

朱长征 ;

余斌 .

中国专利 :CN206477024U ,2017-09-08

[5]

一种金刚石生长的MPCVD基片台 [P].

许成志 ;

郭森森 ;

曾献伟 .

中国专利 :CN222043347U ,2024-11-22

[6]

提高金刚石膜均匀性的MPCVD装置 [P].

刘莎莎 ;

兰飞飞 ;

王英民 ;

房诗舒 ;

程红娟 ;

刘金鑫 .

中国专利 :CN222064661U ,2024-11-26

[7]

一种MPCVD金刚石多晶膜复合片 [P].

王凯 ;

秦静 .

中国专利 :CN213330911U ,2021-06-01

[8]

一种用于MPCVD单晶金刚石的基片承载装置 [P].

王凯 ;

秦静 .

中国专利 :CN213615044U ,2021-07-06

[9]

一种多晶金刚石膜片 [P].

龚闯 ;

吴剑波 ;

朱长征 ;

余斌 .

中国专利 :CN209176268U ,2019-07-30

[10]

一种CVD金刚石与PCD金刚石复合刀具 [P].

陈继锋 .

中国专利 :CN201677047U ,2010-12-22

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