非易失性半导体存储装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010112529.8
申请日
2020-02-24
公开(公告)号
CN112466367A
公开(公告)日
2021-03-09
发明(设计)人
渡辺正一 野口充宏
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
G11C1604
IPC分类号
G11C502 G11C506 G06F1110 H01L2711551 H01L2711524 H01L271157 H01L2711578
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
张世俊
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
非易失性半导体存储装置 [P]. 
渡辺正一 ;
野口充宏 .
日本专利 :CN112466367B ,2024-04-19
[2]
非易失性半导体存储装置 [P]. 
前嶋洋 .
中国专利 :CN111696605A ,2020-09-22
[3]
非易失性半导体存储装置 [P]. 
谷口敏光 ;
大古田敏幸 .
中国专利 :CN1316623C ,2005-05-11
[4]
非易失性半导体存储装置 [P]. 
森川佳直 .
中国专利 :CN100392758C ,2004-06-16
[5]
非易失性半导体存储装置 [P]. 
上田孝典 ;
河野和幸 .
中国专利 :CN104145308B ,2014-11-12
[6]
非易失性半导体存储装置 [P]. 
斋藤稔 .
中国专利 :CN1126113C ,1999-10-06
[7]
非易失性半导体存储装置 [P]. 
细野浩司 .
中国专利 :CN104916318A ,2015-09-16
[8]
非易失性半导体存储装置 [P]. 
古山孝昭 .
中国专利 :CN101763898B ,2010-06-30
[9]
非易失性半导体存储装置 [P]. 
樱井清史 ;
二山拓也 .
中国专利 :CN203205073U ,2013-09-18
[10]
非易失性半导体存储装置 [P]. 
森本英德 .
中国专利 :CN100454439C ,2004-12-01