相变存储器及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410322700.2
申请日
2014-07-08
公开(公告)号
CN105244437A
公开(公告)日
2016-01-13
发明(设计)人
何作鹏 李志超 赵洪波
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L4500
IPC分类号
H01L2724
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
应战;骆苏华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
伏广才 ;
李志超 .
中国专利 :CN105655486A ,2016-06-08
[2]
相变存储器及其形成方法、相变存储器阵列 [P]. 
李莹 ;
吴关平 .
中国专利 :CN104078563A ,2014-10-01
[3]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
李莹 .
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[4]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
蒋莉 ;
黎铭琦 .
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相变存储器及其形成方法 [P]. 
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[6]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
朱南飞 ;
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任佳栋 .
中国专利 :CN103022348A ,2013-04-03
[7]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
张翼英 .
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[8]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
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伏广才 .
中国专利 :CN105449100A ,2016-03-30
[9]
相变存储器的形成方法 [P]. 
任万春 .
中国专利 :CN102709469A ,2012-10-03
[10]
相变存储器的形成方法 [P]. 
张翼英 ;
何其旸 .
中国专利 :CN102956820B ,2013-03-06