硅碳复合电极材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111320525.X

申请日：

2021-11-09

公开(公告)号：

CN114212775A

公开(公告)日：

2022-03-22

发明(设计)人：

张辉董珂琪柏晓

申请人：

申请人地址：

100094 北京市海淀区友谊路104号院

IPC主分类号：

C01B32168

IPC分类号：

C01B32184 C01B32194 C01B32205 C01B3216 C01B3205 C01B3221 C01B3300 B82Y3000 B82Y4000 H01M438 H01M462 H01M100525 D01F912

代理机构：

北京谨诚君睿知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11538

代理人：

延慧;武丽荣

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

一种硅碳复合电极材料及其制备方法和应用 [P].

尤可欣 ;

赵晓锋 ;

刘静 ;

杨红新 .

中国专利 :CN117374254A ,2024-01-09

[2]

一种碳硅复合电极材料及其制备方法 [P].

关玉明 ;

白岩 ;

赵晓磊 ;

游志江 .

中国专利 :CN110311124A ,2019-10-08

[3]

碳硅复合电极材料及其制备方法 [P].

李富生 ;

吴乃立 ;

周宪聪 ;

吴玉祥 ;

陈伯坤 .

中国专利 :CN104868095B ,2015-08-26

[4]

碳基复合电极材料及其制备方法 [P].

彭飞 ;

仰永军 .

中国专利 :CN112713008A ,2021-04-27

[5]

硅碳电极材料及其制备方法和应用 [P].

裴大钊 ;

王良俊 ;

何科峰 .

中国专利 :CN117673333A ,2024-03-08

[6]

硅碳电极材料及其制备方法和应用 [P].

裴大钊 ;

王良俊 ;

何科峰 .

中国专利 :CN117673333B ,2025-12-16

[7]

一种中空结构的硅碳复合电极材料及其制备方法 [P].

朱映华 ;

夏悦 ;

曹江 ;

张哲旭 .

中国专利 :CN109065848A ,2018-12-21

[8]

一种改性硅碳复合电极材料及其制备方法 [P].

王宇航 ;

袁雪亚 ;

白岩 ;

成信刚 ;

马书良 .

中国专利 :CN108232144A ,2018-06-29

[9]

一种硅碳复合电极及其制备方法 [P].

梁慧宇 .

中国专利 :CN107403920A ,2017-11-28

[10]

硅碳复合材料及其制备方法 [P].

郭再萍 ;

刘建文 ;

刘伟 ;

冯传启 .

中国专利 :CN105140477B ,2015-12-09

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-22	公开	公开
2022-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/168 申请日:20211109