Sialon准一维纳米材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610146280.2

申请日：

2006-12-14

公开(公告)号：

CN100999412A

公开(公告)日：

2007-07-18

发明(设计)人：

温广武覃春林

申请人：

申请人地址：

264200山东省威海市高区文化西路2号

IPC主分类号：

C04B35599

IPC分类号：

C04B35626

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101055738180 IPC(主分类):C04B 35/599 专利号:ZL2006101462802 申请日:20061214 授权公告日:20081203 终止日期:20100114
2007-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-07-18	公开	公开
2008-12-03	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化钨一维纳米材料及其制备方法 [P].

魏明灯 ;

罗海燕 ;

魏可镁 .

中国专利 :CN101417818A ,2009-04-29

[2]

聚合C60一维纳米材料及其制备方法 [P].

魏先文 ;

孙健 .

中国专利 :CN1267342C ,2005-06-01

[3]

一维纳米材料的制备方法 [P].

章桥新 ;

张佳明 .

中国专利 :CN101126165B ,2008-02-20

[4]

一种硼酸钙一维纳米材料及其制备方法 [P].

方明 ;

汪鹏 ;

刘毛 ;

张立德 .

中国专利 :CN106892434A ,2017-06-27

[5]

Si-ZnO一维纳米材料及其制备方法 [P].

方铉 ;

魏志鹏 ;

王晓华 ;

李金华 ;

方芳 ;

赵东旭 ;

浦双双 .

中国专利 :CN101886281A ,2010-11-17

[6]

Nb2O5一维纳米材料及其制备方法 [P].

魏明灯 ;

罗海燕 ;

魏可镁 .

中国专利 :CN101439883A ,2009-05-27

[7]

实现与n型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极及其制备方法 [P].

揭建胜 ;

于永强 ;

蒋阳 ;

罗林保 ;

朱志峰 .

中国专利 :CN102231387A ,2011-11-02

[8]

实现与p型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极及其制备方法 [P].

于永强 ;

蒋阳 ;

揭建胜 ;

吴春艳 ;

王莉 ;

朱志峰 .

中国专利 :CN102544075A ,2012-07-04

[9]

氧化铝多孔一维纳米材料及其制备方法和应用 [P].

吴强 ;

胡征 ;

王喜章 ;

张帆 ;

陈懿 .

中国专利 :CN101041905A ,2007-09-26

[10]

一种二维纳米材料及其制备方法 [P].

徐钊 ;

周灿旭 .

中国专利 :CN119637862A ,2025-03-18

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