铌低价氧化物粉末

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810175024.5

申请日：

2004-07-15

公开(公告)号：

CN101407338A

公开(公告)日：

2009-04-15

发明(设计)人：

O·托马斯 C·施尼特

申请人：

申请人地址：

德国戈斯拉

IPC主分类号：

C01G3300

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

林森

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-15	公开	公开
2011-10-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101196305260 IPC(主分类):C01G 33/00 专利申请号:2008101750245 公开日:20090415
2009-06-10	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

铌低价氧化物粉末 [P].

O·托马斯 ;

C·施尼特 .

中国专利 :CN100441515C ,2005-02-09

[2]

低价铌氧化物粉末、铌钽氧化物粉末及由它们制造的电容器阳极 [P].

斯里达哈·韦尼加拉 .

中国专利 :CN101755315A ,2010-06-23

[3]

部分还原铌金属氧化物的方法和脱氧的铌氧化物 [P].

詹姆斯.A.法伊夫 .

中国专利 :CN102603002A ,2012-07-25

[4]

部分还原铌金属氧化物的方法和脱氧的铌氧化物 [P].

詹姆斯·A·法伊夫 .

中国专利 :CN1320103A ,2001-10-31

[5]

氧还原的铌氧化物 [P].

乔纳森·L·金梅尔 ;

里基·W·基切尔 ;

詹姆斯·A·法伊夫 .

中国专利 :CN1427996A ,2003-07-02

[6]

制造铌金属氧化物的方法 [P].

乔纳森·L·金梅尔 ;

邱永坚 .

中国专利 :CN1529893A ,2004-09-15

[7]

铌金属氧化物 [P].

苏普里斯·纳根德兰 ;

克莱尔·菲洛米娜·格雷 ;

塞·希瓦雷迪 .

英国专利 :CN120752200A ,2025-10-03

[8]

生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 [P].

戴维·M·里德 ;

斯里达·维尼加拉 ;

里奇·W·基切尔 ;

斯蒂芬·J·克劳斯 ;

希瑟·L·恩曼 ;

多兰·L·舒尔茨 ;

杰弗里·A·柯克纳 .

中国专利 :CN100560507C ,2006-08-30

[9]

生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 [P].

戴维·M·里德 ;

斯里达·维尼加拉 ;

里奇·W·基切尔 ;

斯蒂芬·J·克劳斯 ;

希瑟·L·恩曼 ;

多兰·L·舒尔茨 ;

杰弗里·A·柯克纳 .

中国专利 :CN101676217A ,2010-03-24

[10]

低价氧化铌的制备方法 [P].

袁宁峰 ;

温晓立 ;

王丹鹏 ;

张庆生 .

中国专利 :CN1587066A ,2005-03-02

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