具有增强速度的写辅助存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480013370.7

申请日：

2014-03-10

公开(公告)号：

CN105144295B

公开(公告)日：

2015-12-09

发明(设计)人：

P·金 M·H·阿布-拉玛 F·阿迈德

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G11C11419

IPC分类号：

G11C712 G11C514

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

杨丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	公开	公开
2017-11-17	授权	授权
2016-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640703566 IPC(主分类):G11C 11/419 专利申请号:2014800133707 申请日:20140310

共 50 条

[1]

存储器写辅助 [P].

吴瑞仁 ;

吕绍维 ;

罗国鸿 ;

李坤锡 .

中国专利 :CN102385905B ,2012-03-21

[2]

存储器及其写辅助电路 [P].

佘一奇 ;

吴守道 ;

郑坚斌 .

中国专利 :CN111354396A ,2020-06-30

[3]

存储器的读/写辅助 [P].

C·古拉蒂 ;

R·K·辛哈 ;

R·查巴 ;

S·S·尹 .

中国专利 :CN105580086B ,2016-05-11

[4]

用于存储器设备中的写辅助的写激励器 [P].

C·郑 ;

N·德塞 ;

R·瓦蒂孔达 .

中国专利 :CN104981875B ,2015-10-14

[5]

一种存储器的写辅助电路 [P].

张立军 ;

朱家国 ;

翁宇飞 ;

严雨灵 ;

张重达 .

中国专利 :CN217214155U ,2022-08-16

[6]

双端口静态存储器的写辅助电路 [P].

宋俊华 .

中国专利 :CN206532602U ,2017-09-29

[7]

具有改进的写余量的存储器单元 [P].

王奕 ;

M·M·黑勒亚 ;

F·哈姆扎奥卢 .

中国专利 :CN104321817A ,2015-01-28

[8]

具有串联存储器单元的铁电写/读存储器(CFRAM) [P].

R·施奈德尔 ;

G·布劳恩 .

中国专利 :CN1308763A ,2001-08-15

[9]

用于双端口静态存储器的写辅助电路 [P].

宋俊华 .

中国专利 :CN106847334A ,2017-06-13

[10]

低功率、面向行的存储器写辅助电路 [P].

约翰·克里斯汀·霍尔斯特 .

中国专利 :CN107408409B ,2017-11-28

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