一种纳米硅材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911396836.7

申请日：

2019-12-30

公开(公告)号：

CN113130857A

公开(公告)日：

2021-07-16

发明(设计)人：

赵明才张娟汪炜

申请人：

申请人地址：

211156 江苏省南京市江宁区禄口街道神舟路37号禄口创智产业园C-81号

IPC主分类号：

H01M436

IPC分类号：

H01M438 H01M100525 C01B3302 C01B33021 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

邓唯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20191230
2021-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

纳米硅材料及其制备方法和应用 [P].

邓洁 ;

孙赛 ;

张丝雨 ;

董文芊 ;

蒋建忠 ;

凌杨栋 .

中国专利 :CN117963928A ,2024-05-03

[2]

一种硅基纳米复合负极材料及其制备方法 [P].

陈晨 ;

王叶 ;

时兰钱 ;

蔡桂凡 ;

林少雄 ;

史鑫磊 ;

唐爱菊 ;

梁栋栋 .

中国专利 :CN114914418A ,2022-08-16

[3]

一种纳米硅材料及其用途 [P].

杜红宾 ;

孙林 .

中国专利 :CN104577082B ,2015-04-29

[4]

一种硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

郑银坤 ;

孙语蔚 ;

王金钻 ;

侯敏 ;

曹辉 .

中国专利 :CN115548325A ,2022-12-30

[5]

一种纳米硅@SiOx/MXene复合负极材料及其制备方法 [P].

牛研捷 ;

席风硕 ;

马文会 ;

李绍元 ;

陆继军 ;

魏奎先 ;

陈正杰 ;

万小涵 ;

刘昊博 .

中国专利 :CN118183749A ,2024-06-14

[6]

一种纳米硅@SiOx/MXene复合负极材料及其制备方法 [P].

席风硕 ;

牛研捷 ;

马文会 ;

李绍元 ;

陆继军 ;

魏奎先 ;

陈正杰 ;

万小涵 ;

刘昊博 .

中国专利 :CN118183749B ,2025-11-14

[7]

锂离子电池、纳米硅材料及其制备方法 [P].

邴雪峰 ;

张耀 ;

褚春波 ;

梁锐 ;

王威 ;

王明旺 .

中国专利 :CN108666560A ,2018-10-16

[8]

一种纳米硅材料的制备方法及其应用 [P].

涂飞跃 ;

汤刚 ;

杨乐之 ;

陈涛 ;

黎天保 ;

殷敖 ;

彭青姣 ;

王艳华 ;

覃事彪 .

中国专利 :CN109860548B ,2019-06-07

[9]

一种碳包覆纳米硅材料及其制备方法和应用 [P].

赵云 ;

张成龙 ;

郭军坡 ;

朱丽丽 .

中国专利 :CN108598381A ,2018-09-28

[10]

一种硅碳负极材料及其制备方法 [P].

杨亚宏 ;

张大鹏 ;

王文松 .

中国专利 :CN120978054A ,2025-11-18

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