CMOS图像传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02120295.8

申请日：

2002-05-22

公开(公告)号：

CN1226790C

公开(公告)日：

2003-01-08

发明(设计)人：

山口进丹生和男星野康水上雅文权五凤

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2714

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

专利申请权、专利权的转移专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

最小高度CMOS图像传感器 [P].

冯琛 ;

E.C.布雷默 ;

T.冼 ;

P.A.焦尔达诺 ;

S.P.基尔尼 ;

P.波罗尼维奇 .

中国专利 :CN114286027A ,2022-04-05

[2]

最小高度CMOS图像传感器 [P].

冯琛 ;

E.C.布雷默 ;

T.冼 ;

P.A.焦尔达诺 ;

S.P.基尔尼 ;

P.波罗尼维奇 .

中国专利 :CN107529026B ,2017-12-29

[3]

最小高度CMOS图像传感器 [P].

冯琛 ;

E.C.布雷默 ;

T.冼 ;

P.A.焦尔达诺 ;

S.P.基尔尼 ;

P.波罗尼维奇 .

美国专利 :CN114286027B ,2024-07-12

[4]

CMOS图像传感器 [P].

李杰 ;

赵立新 .

中国专利 :CN208444839U ,2019-01-29

[5]

CMOS图像传感器 [P].

徐涛 ;

郑展 ;

付文 .

中国专利 :CN212967704U ,2021-04-13

[6]

CMOS图像传感器 [P].

郭志强 ;

刘力源 ;

吴南健 .

中国专利 :CN107040733A ,2017-08-11

[7]

CMOS图像传感器 [P].

程刘锁 ;

陈广龙 ;

王函 ;

张继亮 ;

钱江勇 .

中国专利 :CN112885859A ,2021-06-01

[8]

CMOS图像传感器 [P].

李杰 ;

赵立新 .

中国专利 :CN109830487A ,2019-05-31

[9]

CMOS图像传感器及其制作方法 [P].

陈雷 .

中国专利 :CN102683375A ,2012-09-19

[10]

CMOS图像传感器及其形成方法 [P].

黄河 ;

克里夫·德劳利 ;

高关且 ;

包德君 .

中国专利 :CN106876419B ,2017-06-20

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-07	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:柯尼卡美能达精密光学株式会社变更后权利人:柯尼卡美能达精密光学株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:共同专利权人变更前权利人:海力士半导体有限公司变更后权利人:美格纳半导体有限会社登记生效日:20070126
2022-06-07	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 27/14 申请日:20020522 授权公告日:20051109
2003-01-08	公开	公开
2018-06-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/14 登记生效日:20180608 变更事项:专利权人变更前权利人:柯尼卡美能达株式会社变更后权利人:美格纳半导体有限会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:韩国忠清北道变更事项:共同专利权人变更前权利人:美格纳半导体有限会社
2005-12-14	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:柯尼卡株式会社变更后:柯尼卡美能达控股株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都变更事项:共同专利权人变更前:海力士半导体有限公司变更后:海力士半导体有限公司
2018-06-29	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/14 变更事项:专利权人变更前:柯尼卡美能达精密光学株式会社变更后:柯尼卡美能达先进多层薄膜株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都变更事项:共同专利权人变更前:美格纳半导体有限会社变更后:美格纳半导体有限会社
2005-11-09	授权	授权
2004-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2018-06-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/14 登记生效日:20180608 变更事项:专利权人变更前权利人:柯尼卡美能达先进多层薄膜株式会社变更后权利人:柯尼卡美能达株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:共同专利权人变更前权利人:美格纳半导体有限会社变更后权利人:美格纳半导体有限会社
2005-12-14	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:柯尼卡美能达控股株式会社变更后权利人:柯尼卡美能达精密光学株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:共同专利权人变更前权利人:海力士半导体有限公司变更后权利人:海力士半导体有限公司登记生效日:20051104