3D非易失性存储器的擦除禁止

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280063510.2

申请日：

2012-11-19

公开(公告)号：

CN104025197A

公开(公告)日：

2014-09-03

发明(设计)人：

H.李 X.科斯塔

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯州

IPC主分类号：

G11C1616

IPC分类号：

G11C1604 G11C1634

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

万里晴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-28	授权	授权
2014-09-03	公开	公开
2016-08-24	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738020660 IPC(主分类):G11C 16/16 专利申请号:2012800635102 变更事项:申请人变更前:桑迪士克科技股份有限公司变更后:桑迪士克科技有限责任公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯州变更后:美国得克萨斯州
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595681455 IPC(主分类):G11C 16/16 专利申请号:2012800635102 申请日:20121119

共 50 条

[1]

非易失性存储器中的擦除禁止 [P].

汉德克尔·N·卡迪尔 ;

劳尔－阿德里安·切尔内亚 .

中国专利 :CN1856840A ,2006-11-01

[2]

针对3D非易失性存储器的动态擦除电压步长选择 [P].

文迪·奥 ;

曼·L·木伊 ;

董颖达 ;

东谷政昭 .

中国专利 :CN105453183A ,2016-03-30

[3]

非易失性存储器的擦除 [P].

大和田宪 ;

迪潘舒·杜塔 .

中国专利 :CN104903965B ,2015-09-09

[4]

以对字线的顺序选择对3D非易失性存储器进行擦除 [P].

西颖·科斯塔 ;

胜·于 ;

罗伊·E·朔伊尔莱因 ;

李海波 ;

曼·L·木伊 .

中国专利 :CN104813407B ,2015-07-29

[5]

非易失性存储器装置及非易失性存储器装置的擦除方法 [P].

李知英 ;

卢永植 ;

朴一汉 .

韩国专利 :CN110580929B ,2024-08-02

[6]

非易失性存储器装置及非易失性存储器装置的擦除方法 [P].

李知英 ;

卢永植 ;

朴一汉 .

中国专利 :CN110580929A ,2019-12-17

[7]

非易失性存储器的擦除方法和非易失性存储器 [P].

朱长峰 ;

李琪 .

中国专利 :CN112825261A ,2021-05-21

[8]

减小3D NAND非易失性存储器中的弱擦除型读取干扰 [P].

董颖达 ;

曼·L·木伊 ;

三轮仁志 .

中国专利 :CN104364849A ,2015-02-18

[9]

非易失性存储器的擦除验证 [P].

J·莱特 ;

C·达文波特 ;

L·E·小卢西亚尼 .

美国专利 :CN119559988A ,2025-03-04

[10]

块擦除的非易失性存储器 [P].

B·L·凯埃斯 .

中国专利 :CN1575496A ,2005-02-02

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