光电器件外延结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910226595.5

申请日：

2019-03-25

公开(公告)号：

CN109950201A

公开(公告)日：

2019-06-28

发明(设计)人：

侯孟军刘宗民

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L2178

IPC分类号：

H01L2715 H01L27144 H01L2712

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

杨广宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-23	授权	授权
2019-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/78 申请日:20190325
2019-06-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种光电器件外延结构的制备方法、外延结构及光电器件 [P].

王国斌 ;

闫其昂 .

中国专利 :CN114583020A ,2022-06-03

[2]

外延结构、外延生长方法及光电器件 [P].

李雪飞 ;

陆书龙 ;

魏铁石 ;

吴渊渊 .

中国专利 :CN114300556B ,2024-05-28

[3]

外延生长方法、外延结构及光电器件 [P].

魏铁石 ;

李雪飞 ;

吴渊渊 ;

陆书龙 ;

杨文献 ;

张雪 .

中国专利 :CN113097057A ,2021-07-09

[4]

外延结构、外延生长方法及光电器件 [P].

李雪飞 ;

陆书龙 ;

魏铁石 ;

吴渊渊 .

中国专利 :CN114300556A ,2022-04-08

[5]

外延结构、外延生长方法及光电器件 [P].

李雪飞 ;

陆书龙 ;

吴渊渊 .

中国专利 :CN113284965A ,2021-08-20

[6]

光电器件及光电器件的制造方法 [P].

丸山英治 .

中国专利 :CN1233044C ,2003-10-01

[7]

光电器件和制造光电器件的方法 [P].

安东尼斯·玛丽亚·B·范默尔 ;

彼得·范德韦尔 ;

D·L·科策夫 .

中国专利 :CN103299447B ,2013-09-11

[8]

光电器件和制造光电器件的方法 [P].

安娜·卡什普扎克-扎布洛茨卡 ;

马丁·赫茨勒 ;

诺温·文马尔姆 ;

迈克尔·宾德 .

德国专利 :CN120883757A ,2025-10-31

[9]

光电器件以及制造光电器件的方法 [P].

罗钟浩 ;

巴斯蒂安·加勒 ;

陈晓军 ;

阿扎鲁尔·阿里夫·卡马鲁尔扎曼 ;

努尔·阿菲法·穆赫德哈纳菲亚 .

德国专利 :CN120476690A ,2025-08-12

[10]

光电器件和制造光电器件的方法 [P].

H·卢斯 ;

A·多布纳 ;

B·霍斯霍尔德 ;

A·瓦尔奇克 ;

E·比尔 ;

B·博赫姆 ;

L·霍夫鲍尔 ;

S·梅尔 ;

S·拉斯 ;

M·斯塔克 .

中国专利 :CN114730759A ,2022-07-08

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