碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010530643.2

申请日：

2020-06-11

公开(公告)号：

CN112746324A

公开(公告)日：

2021-05-04

发明(设计)人：

朴钟辉甄明玉沈钟珉张炳圭崔正宇高上基具甲烈金政圭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258

代理人：

魏彦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20200611
2021-11-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 29/36 登记生效日:20211025 变更事项:申请人变更前权利人:SKC株式会社变更后权利人:赛尼克公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国首尔
2021-05-04	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30

[2]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04

[3]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31

[4]

碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P].

堂本千秋 ;

正木克明 ;

柴田和也 ;

山口恵彥 ;

上山大辅 .

中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14

[5]

碳化硅晶片以及使用了该碳化硅晶片的碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118263285A ,2024-06-28

[6]

碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09

[7]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[8]

碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统 [P].

金政圭 ;

具甲烈 ;

徐正斗 ;

崔正宇 ;

朴钟辉 .

韩国专利 :CN114762995B ,2024-04-26

[9]

碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统 [P].

金政圭 ;

具甲烈 ;

徐正斗 ;

崔正宇 ;

朴钟辉 .

中国专利 :CN114762995A ,2022-07-19

[10]

碳化硅晶片的制备方法 [P].

戴长虹 ;

张宝宝 ;

孟永强 .

中国专利 :CN1831213A ,2006-09-13

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