一种简便的制备碳纳米管化学修饰电极的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201010180186.5
申请日
2010-05-22
公开(公告)号
CN101825599B
公开(公告)日
2010-09-08
发明(设计)人
江奇 何正文 赵勇
申请人
申请人地址
610031 四川省成都市二环路北一段111号
IPC主分类号
G01N2730
IPC分类号
代理机构
成都博通专利事务所 51208
代理人
刘惠亭
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种原位生长碳纳米管化学修饰电极的制备方法 [P]. 
江奇 ;
宋利君 ;
赵勇 .
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[2]
化学修饰碳纳米管的方法 [P]. 
秦玉军 ;
石家华 ;
武伟 ;
李守平 ;
李祥龙 ;
郭志新 ;
朱道本 .
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[3]
一种化学修饰碳纳米管的方法 [P]. 
赵昱枫 ;
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[4]
碳纳米管修饰电极的制备方法 [P]. 
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张淑平 ;
单联刚 .
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[5]
碳纳米管表面化学修饰的方法 [P]. 
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[6]
光化学修饰碳纳米管的方法 [P]. 
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[7]
一种电泳—化学沉积制备碳纳米管修饰载钯电极的方法 [P]. 
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[8]
经选择性化学修饰的碳纳米管的制造方法 [P]. 
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[9]
一种聚合物的制备及其对碳纳米管化学修饰的方法 [P]. 
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[10]
一种PPTA低聚物化学修饰的羧基碳纳米管的制备方法 [P]. 
曲荣君 ;
贾欣桦 ;
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