高容二次电池

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201320118379.7
申请日
2013-03-15
公开(公告)号
CN203150659U
公开(公告)日
2013-08-21
发明(设计)人
何策衡 王劲航 谢勋 陈风 彭华坚
申请人
申请人地址
518105 广东省深圳市宝安区松岗街道罗田第三工业区广田路2号力可兴科技园
IPC主分类号
H01M1004
IPC分类号
代理机构
深圳市中知专利商标代理有限公司 44101
代理人
孙皓;林虹
法律状态
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
国省代码
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共 50 条
[1]
高容二次电池和制作方法 [P]. 
何策衡 ;
王劲航 ;
谢勋 ;
陈风 ;
彭华坚 .
中国专利 :CN103178288B ,2013-06-26
[2]
二次电池 [P]. 
门井优文 ;
樱井贵宏 ;
坂下康广 .
中国专利 :CN114203951A ,2022-03-18
[3]
镍氢二次电池 [P]. 
李超 .
中国专利 :CN204130654U ,2015-01-28
[4]
二次电池 [P]. 
林伦也 .
日本专利 :CN223181352U ,2025-08-01
[5]
镍氢二次电池 [P]. 
李超 .
中国专利 :CN105470587B ,2016-04-06
[6]
二次电池的制造方法 [P]. 
蛭川智史 .
日本专利 :CN114944471B ,2024-03-01
[7]
二次电池的制造方法 [P]. 
蛭川智史 .
中国专利 :CN114944471A ,2022-08-26
[8]
二次电池 [P]. 
中岛悟史 .
中国专利 :CN110176621A ,2019-08-27
[9]
二次电池 [P]. 
丸山雅秀 .
中国专利 :CN109088069B ,2018-12-25
[10]
二次电池 [P]. 
林伦也 .
日本专利 :CN119726010A ,2025-03-28