磁场传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410047320.2

申请日：

2014-02-11

公开(公告)号：

CN103777151B

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

朱万华刘凯闫彬刘雷松方广有

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区北四环西路19号

IPC主分类号：

G01R3302

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

曹玲柱

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	公开	公开
2016-03-23	授权	授权
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582737625 IPC(主分类):G01R 33/02 专利申请号:2014100473202 申请日:20140211

共 50 条

[1]

磁场传感器 [P].

M.莫茨 ;

W.舍尔 .

中国专利 :CN105929343B ,2016-09-07

[2]

磁场传感器 [P].

宋国明 ;

林文胜 ;

林君龙 .

中国专利 :CN106353703A ,2017-01-25

[3]

磁场传感器 [P].

C·鲍尔 .

中国专利 :CN101680777A ,2010-03-24

[4]

磁场传感器 [P].

W.拉贝格 .

中国专利 :CN105785290A ,2016-07-20

[5]

磁场传感器 [P].

李彩珍 .

中国专利 :CN200986484Y ,2007-12-05

[6]

磁场传感器 [P].

J-F·兰森 ;

D·施莱夫利 .

中国专利 :CN113574403B ,2021-10-29

[7]

磁场传感器 [P].

罗伯特·H·M·范费尔德温 .

中国专利 :CN102564468B ,2012-07-11

[8]

磁场传感器 [P].

奥特马尔·莫德斯特 .

中国专利 :CN100541203C ,2006-11-01

[9]

磁场传感器 [P].

C·保陶克 ;

S·魏斯 ;

F·恩吉卡姆恩吉蒙齐 ;

F·沙茨 ;

P·法贝尔 ;

C·比尔霍夫 .

中国专利 :CN102648421A ,2012-08-22

[10]

磁场传感器 [P].

M·莫尔比 ;

M·韦布勒 .

中国专利 :CN100578157C ,2008-03-19

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