一种低压低功耗CMOS电压基准电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811403931.0

申请日：

2018-11-23

公开(公告)号：

CN109388172A

公开(公告)日：

2019-02-26

发明(设计)人：

蔡觉平杨启迪陈腾腾辛昕李欣宇

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

G05F1567

IPC分类号：

代理机构：

太原市科瑞达专利代理有限公司 14101

代理人：

李富元

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/567 申请日:20181123
2021-08-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G05F 1/567 申请公布日:20190226
2019-02-26	公开	公开

共 50 条

[1]

低压低功耗的CMOS电压基准参考电路 [P].

王晗 ;

叶青 .

中国专利 :CN101470459A ,2009-07-01

[2]

一种低压低功耗基准电路 [P].

陈磊 .

中国专利 :CN208188713U ,2018-12-04

[3]

一种低压低功耗基准电路 [P].

陈磊 .

中国专利 :CN108415503A ,2018-08-17

[4]

低压低功耗基准电压源及低基准电压产生电路 [P].

吴炎辉 ;

范麟 ;

龚海波 ;

万天才 ;

刘永光 ;

徐骅 ;

李明剑 .

中国专利 :CN103926967A ,2014-07-16

[5]

一种低压低功耗的带隙基准电路 [P].

卿琼 .

中国专利 :CN213276404U ,2021-05-25

[6]

采用MOS器件实现的低压低功耗带隙基准电压源 [P].

方华军 ;

赵晓 ;

许军 ;

梁仁荣 ;

王敬 .

中国专利 :CN102096436B ,2013-10-16

[7]

一种超低功耗CMOS电压基准电路 [P].

邓禹辰 ;

吴建辉 ;

吴志强 ;

谢祖帅 ;

周全才 ;

瞿剑 .

中国专利 :CN111796625A ,2020-10-20

[8]

低功耗无电阻全CMOS电压基准电路 [P].

周泽坤 ;

朱世鸿 ;

苟超 ;

张其营 ;

张庆岭 ;

许天辉 ;

崔佳男 ;

张波 .

中国专利 :CN103412610B ,2013-11-27

[9]

一种超低压超低功耗的电压基准电路 [P].

罗萍 ;

王远飞 ;

彭定明 .

中国专利 :CN109491432A ,2019-03-19

[10]

低功耗电压基准电路 [P].

常雷雨 .

中国专利 :CN120523281A ,2025-08-22

← 1 2 3 4 5 →