氧氮化物荧光体粉末、氧氮化物荧光体粉末制造用氮化硅粉末及氧氮化物荧光体粉末的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280048350.4

申请日：

2012-10-12

公开(公告)号：

CN103842473B

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

藤永昌孝上田孝之酒井拓马治田慎辅

申请人：

申请人地址：

日本山口县

IPC主分类号：

C09K1164

IPC分类号：

C01B21068 C01B21082 C09K1108 C09K1165

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

贾成功

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	公开	公开
2016-02-10	授权	授权
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583456142 IPC(主分类):C09K 11/64 专利申请号:2012800483504 申请日:20121012
2022-09-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09K 11/64 申请日:20121012 授权公告日:20160210 终止日期:20211012

共 50 条

[1]

氧氮化物荧光体粉末 [P].

上田孝之 ;

藤永昌孝 ;

酒井拓马 ;

治田慎辅 .

中国专利 :CN104145003A ,2014-11-12

[2]

氮化物荧光体的制造方法和氮化物荧光体用氮化硅粉末以及氮化物荧光体 [P].

岩下和树 ;

隅野真央 ;

上田孝之 ;

藤永昌孝 ;

治田慎辅 .

中国专利 :CN105008486A ,2015-10-28

[3]

氧氮化物荧光体粉末及其制造方法 [P].

上田孝之 ;

岩下和树 ;

酒井拓马 ;

藤永昌孝 ;

治田慎辅 .

中国专利 :CN105143399A ,2015-12-09

[4]

氧氮化物荧光体粉末及其制造方法 [P].

隅野真央 ;

岩下和树 ;

酒井拓马 ;

藤永昌孝 ;

治田慎辅 .

中国专利 :CN105073948A ,2015-11-18

[5]

氮化物荧光体或氧氮化物荧光体的制造方法 [P].

后藤昌大 ;

坂根坚之 .

中国专利 :CN101522858B ,2009-09-02

[6]

氮化物荧光体的制造方法及氮化物荧光体 [P].

涌井贞一 ;

国本晃平 ;

渡边浩之 ;

金井瑛志 .

日本专利 :CN118256235A ,2024-06-28

[7]

氮化物荧光体的制造方法、及氮化物荧光体 [P].

细川昌治 ;

仓本大树 .

中国专利 :CN107880883B ,2018-04-06

[8]

氮化物荧光体的制造方法和氮化物荧光体 [P].

渡边浩之 ;

铃木茂之 ;

细川昌治 .

中国专利 :CN111548794A ,2020-08-18

[9]

氮化物荧光体和氮化物荧光体的制造方法 [P].

小泉亮 ;

稻田悠平 ;

清原彩子 ;

井阪雅仁 ;

小室直之 ;

松田康平 .

中国专利 :CN110997869A ,2020-04-10

[10]

赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法以及赛隆系氧氮化物荧光体 [P].

藤永昌孝 ;

上田孝之 ;

治田慎辅 .

中国专利 :CN102782085B ,2012-11-14

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