由硅制造掺杂半导体晶片的方法以及该半导体晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510091416.X

申请日：

2005-08-10

公开(公告)号：

CN100481331C

公开(公告)日：

2007-02-14

发明(设计)人：

鲁珀特·克劳特鲍尔克里斯托夫·弗赖西蒙·齐特泽尔斯伯格洛塔尔·莱曼

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L2122

IPC分类号：

H01L2124 C30B2906

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

过晓东

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-14	公开	公开
2009-04-22	授权	授权
2007-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体晶片以及制造该半导体晶片的方法 [P].

S·B·塔帕 ;

赵明 ;

P·施托克 ;

N·维尔纳 .

中国专利 :CN105684125A ,2016-06-15

[2]

半导体基板、半导体晶片以及半导体晶片的制造方法 [P].

佐佐木公平 ;

林家弘 .

日本专利 :CN117795654A ,2024-03-29

[3]

半导体晶片及由该半导体晶片形成的半导体器件 [P].

大角卓史 .

中国专利 :CN100530631C ,2007-01-17

[4]

硅半导体晶片及制造多个半导体晶片的方法 [P].

吉多·文斯基 ;

托马斯·阿尔特曼 ;

安东·胡贝尔 ;

亚历山大·海尔迈尔 .

中国专利 :CN1294629C ,2003-06-18

[5]

单晶硅的半导体晶片和制造半导体晶片的方法 [P].

A·扎特勒 ;

A·福尔科普夫 ;

K·曼格尔贝格尔 .

中国专利 :CN110998789A ,2020-04-10

[6]

半导体晶片的制造方法及半导体晶片 [P].

牧野亮平 ;

熊田贵夫 ;

江户雅晴 ;

高木启史 .

中国专利 :CN104064444A ,2014-09-24

[7]

半导体晶片及制造半导体晶片的方法 [P].

弗洛里安·施密特 ;

海默·舒切尔 ;

迈克尔·齐恩曼 .

中国专利 :CN102810517B ,2012-12-05

[8]

半导体晶片的制造方法和半导体晶片 [P].

金子忠昭 ;

大谷升 ;

牛尾昌史 ;

安达步 ;

野上晓 .

中国专利 :CN103857835A ,2014-06-11

[9]

半导体晶片的评价方法以及半导体晶片的制造方法 [P].

高桥亮辅 .

日本专利 :CN119522479A ,2025-02-25

[10]

处理半导体晶片的方法、半导体晶片以及半导体器件 [P].

菲利普·雷诺 ;

罗兰德·塞拉诺 .

中国专利 :CN103109350A ,2013-05-15

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