从含碳化硅炉渣中提取碳化硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN88107783.6

申请日：

1988-11-10

公开(公告)号：

CN1033974A

公开(公告)日：

1989-07-19

发明(设计)人：

贾阮

申请人：

申请人地址：

山西省太原市迎泽大街71号

IPC主分类号：

C01B3136

IPC分类号：

代理机构：

山西省专利服务中心

代理人：

王光华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1989-07-19	公开	公开

共 50 条

[1]

从含碳化硅炉渣中提取碳化硅的方法 [P].

寇虎林 .

中国专利 :CN1626439A ,2005-06-15

[2]

一种从包裹碳化硅的聚氨酯中提取碳化硅的制备方法 [P].

刘骏 ;

蔡璐 ;

刘波 ;

王钢 ;

汪国雄 ;

张海波 .

中国专利 :CN111547725A ,2020-08-18

[3]

一种从包裹碳化硅的聚氨酯中提取碳化硅的制备方法 [P].

谭学先 .

中国专利 :CN103964440A ,2014-08-06

[4]

碳化硅衬底、碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法 [P].

佐佐木信 ;

西口太郎 .

中国专利 :CN103476975A ,2013-12-25

[5]

碳化硅的制造方法及碳化硅 [P].

星亮二 ;

松本克 ;

青木良隆 ;

松井智波 .

中国专利 :CN105008278A ,2015-10-28

[6]

碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P].

堂本千秋 ;

正木克明 ;

柴田和也 ;

山口恵彥 ;

上山大辅 .

中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14

[7]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[8]

(请求不公开姓名) .

中国专利 :CN101555010A ,2009-10-14

[9]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04

[10]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31

← 1 2 3 4 5 →