半导体继电器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN94108539.2

申请日：

1994-07-29

公开(公告)号：

CN1111855A

公开(公告)日：

1995-11-15

发明(设计)人：

奥村仙也相沢吉昭

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H03K17785

IPC分类号：

H01L2714

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

汪瑜

法律状态：

专利申请的驳回

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-03-10	专利申请的驳回	专利申请的驳回
1995-09-06	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1995-11-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体继电器及包括该半导体继电器的半导体继电器模块 [P].

栗秋智成 ;

北原大祐 ;

恒冈道朗 ;

梶本刚志 .

日本专利 :CN118974951A ,2024-11-15

[2]

半导体继电器 [P].

柴田大辅 ;

田村聪之 ;

宇治田信二 ;

平下奈奈子 ;

小川雅弘 ;

梶谷亮 .

中国专利 :CN110168745B ,2019-08-23

[3]

半导体继电器 [P].

佐佐木光政 .

中国专利 :CN304184313S ,2017-06-20

[4]

半导体继电器 [P].

星野就俊 ;

藤原嘉宏 ;

芝野贵史 ;

高真祐 .

中国专利 :CN102656803A ,2012-09-05

[5]

半导体继电器 [P].

星野就俊 ;

新村雄一 ;

高真祐 ;

麦生田沙知子 .

中国专利 :CN101953074A ,2011-01-19

[6]

半导体继电器 [P].

沃尔特·阿普菲尔巴彻 ;

伯特兰·维亚拉 .

中国专利 :CN300744788D ,2008-02-13

[7]

半导体继电器 [P].

沃尔特·阿普费尔巴彻 ;

安妮玛丽·莱迈耶 ;

约翰·塞茨 .

中国专利 :CN1757273A ,2006-04-05

[8]

半导体继电器 [P].

梶本刚志 ;

浅野勇斗 ;

栗秋智成 ;

小西保司 .

日本专利 :CN117375598A ,2024-01-09

[9]

半导体继电器 [P].

分木优 ;

小西保司 ;

正木裕隆 .

中国专利 :CN113853744A ,2021-12-28

[10]

半导体继电器 [P].

沃尔特·阿普菲尔巴彻 ;

伯特兰·维亚拉 .

中国专利 :CN300738775D ,2008-01-30

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