一种X射线激发的硼磷酸钡发光材料的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410054125.9

申请日：

2004-08-30

公开(公告)号：

CN100372911C

公开(公告)日：

2005-04-06

发明(设计)人：

吴雪艳赵景泰段成军杨昕昕陈昊鸿

申请人：

申请人地址：

200050上海市定西路1295号

IPC主分类号：

C09K1171

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101587697174 IPC(主分类):C09K 11/71 专利号:ZL2004100541259 申请日:20040830 授权公告日:20080305 终止日期:20130830
2005-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-05	授权	授权
2005-04-06	公开	公开

共 50 条

[1]

稀土掺杂的硼磷酸钡闪烁发光材料及其制备方法与应用 [P].

段成军 ;

赵景泰 ;

吴雪艳 ;

杨昕昕 ;

陈昊鸿 .

中国专利 :CN1814694A ,2006-08-09

[2]

一种X射线激发的应力发光材料及其制备方法 [P].

张洪武 ;

傅春青 ;

付晓燕 ;

孟伟 ;

王圆 ;

孙文芝 .

中国专利 :CN119875638A ,2025-04-25

[3]

一种X射线激发的硼酸盐长余辉发光材料及其制备方法 [P].

张洪武 ;

刘润尧 ;

付晓燕 .

中国专利 :CN118703203A ,2024-09-27

[4]

一种X射线激发的掺杂稀土离子的钨酸盐闪烁发光材料及其制备方法 [P].

张志军 ;

赵景泰 ;

段成军 ;

袁军林 ;

王小军 ;

陈昊鸿 ;

杨昕昕 .

中国专利 :CN100412157C ,2006-11-08

[5]

一种X射线激发的高热稳定的近红外发光材料及其制备方法 [P].

张秋红 ;

周建邦 ;

霍见生 ;

倪海勇 ;

李俊豪 .

中国专利 :CN115746852B ,2024-03-15

[6]

一种X射线激发发光材料及其制备方法 [P].

刘湘梅 ;

姜阳阳 ;

陶小芳 ;

赵强 ;

刘淑娟 ;

黄维 .

中国专利 :CN113801144A ,2021-12-17

[7]

一种可被X射线激发的长余辉材料及其应用 [P].

杨艳民 ;

张伟 ;

魏军 ;

杨敬伟 .

中国专利 :CN106544028A ,2017-03-29

[8]

阴极射线或X射线激发长余辉发光材料及其制备方法 [P].

张家骅 ;

张金苏 ;

张霞 .

中国专利 :CN101550339B ,2009-10-07

[9]

X射线存储发光材料的制备 [P].

苏勉曾 ;

姚光庆 ;

阮慎康 .

中国专利 :CN1084374C ,1997-02-05

[10]

一种近紫外激发的电荷补偿型红光硼磷酸盐发光材料及其制备方法 [P].

樊国栋 ;

胡荣玲 ;

邱小云 ;

冯昕钰 .

中国专利 :CN107043625A ,2017-08-15

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