非易失性存储器电路

被引：0

申请号：

CN202123068908.0

申请日：

2021-12-08

公开(公告)号：

CN217157721U

公开(公告)日：

2022-08-09

发明(设计)人：

V·拉纳 N·达拉尔

申请人：

申请人地址：

瑞士日内瓦

IPC主分类号：

G11C1608

IPC分类号：

G11C1630 G11C1634 G11C1626

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李春辉

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	授权	授权

共 50 条

[1]

非易失性存储器电路 [P].

川上亚矢子 ;

津村和宏 .

中国专利 :CN103871471A ,2014-06-18

[2]

在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法 [P].

V·拉纳 ;

N·达拉尔 .

中国专利 :CN114627936A ,2022-06-14

[3]

在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法 [P].

V·拉纳 ;

N·达拉尔 .

:CN114627936B ,2025-05-20

[4]

在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法 [P].

V·拉纳 ;

N·达拉尔 .

:CN120452511A ,2025-08-08

[5]

非易失性存储器设备 [P].

金志锡 ;

朴一汉 ;

朴世桓 .

中国专利 :CN107785048A ,2018-03-09

[6]

非易失性存储器修复电路 [P].

何学文 ;

耿晓祥 ;

张雷 .

美国专利 :CN108735268B ,2024-01-30

[7]

非易失性存储器集成电路 [P].

F·塔耶 ;

M·巴蒂斯塔 .

中国专利 :CN212392003U ,2021-01-22

[8]

非易失性存储器集成电路 [P].

F·拉罗萨 .

中国专利 :CN211906960U ,2020-11-10

[9]

非易失性存储器修复电路 [P].

何学文 ;

耿晓祥 ;

张雷 .

中国专利 :CN108735268A ,2018-11-02

[10]

存储器电路以及非易失性存储器 [P].

谢飞 ;

罗光燕 .

中国专利 :CN119763630A ,2025-04-04

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