高介电常数栅介质TiO2/Al2O3堆栈结构薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510030974.5

申请日：

2005-11-03

公开(公告)号：

CN1761068A

公开(公告)日：

2006-04-19

发明(设计)人：

凌惠琴陈寿面李明毛大立杨春生

申请人：

申请人地址：

200240上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

H01L2951

IPC分类号：

H01L2978 H01L21283

代理机构：

上海交达专利事务所

代理人：

王锡麟;王桂忠

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-04-19	公开	公开
2006-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效

共 35 条

[1]

一种TiO2/ZrO2两层堆栈结构高介电常数栅介质薄膜及其制备方法 [P].

王浩 ;

叶芸 ;

王毅 ;

叶葱 ;

汪宝元 ;

张军 .

中国专利 :CN101831618A ,2010-09-15

[2]

一种高介电栅介质Al2O3/BaO/Al2O3结构及其制备方法 [P].

缪炳有 ;

徐小诚 .

中国专利 :CN100428417C ,2003-05-28

[3]

高介电常数Al2O3基陶瓷的调节功率激光制备方法 [P].

蒋毅坚 ;

于振龙 ;

王伟 ;

季凌飞 .

中国专利 :CN1648103A ,2005-08-03

[4]

一种高介电常数BaO-Ln2O3-TiO2系微波介质材料及其制备方法 [P].

邹海雄 ;

张军志 ;

林康 ;

李太坤 .

中国专利 :CN102603286A ,2012-07-25

[5]

一种TiO2/γ-Al2O3复合载体的制备方法 [P].

蒋晓原 ;

林辉 ;

李惠娟 ;

郑小明 .

中国专利 :CN100562361C ,2008-08-06

[6]

高介电常数的BaO-TiO2-Nd2O3系电容器瓷料的制备方法 [P].

汪泽维 .

中国专利 :CN109665836A ,2019-04-23

[7]

GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法 [P].

谢永桂 ;

郝跃 ;

冯倩 ;

王冲 ;

龚欣 ;

李亚琴 .

中国专利 :CN1794427A ,2006-06-28

[8]

Al2O3/La2O3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104617161A ,2015-05-13

[9]

GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法 [P].

谢永桂 ;

郝跃 ;

冯倩 ;

王冲 ;

龚欣 ;

李亚琴 .

中国专利 :CN1794428A ,2006-06-28

[10]

Al2O3/LaAlO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104576766A ,2015-04-29

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