金属氧化物半导体晶体管结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910131089.4

申请日：

2009-04-22

公开(公告)号：

CN101771078A

公开(公告)日：

2010-07-07

发明(设计)人：

李名镇郑道杨明宗

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2910 H01L2936

代理机构：

北京万慧达知识产权代理有限公司 11111

代理人：

葛强;张一军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005580332 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009101310894 申请日:20090422
2010-07-07	公开	公开
2012-02-01	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[2]

高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

许世明 ;

黄志仁 ;

郑敦仁 ;

苏潮源 .

中国专利 :CN101364611A ,2009-02-11

[3]

垂直金属氧化物半导体晶体管 [P].

原田博文 .

中国专利 :CN100524818C ,2005-02-02

[4]

金属氧化物半导体晶体管 [P].

蔡娟娟 ;

冉晓雯 ;

孟心飞 ;

叶隽正 .

中国专利 :CN102820339A ,2012-12-12

[5]

金属氧化物半导体晶体管 [P].

田威廉 ;

曾昭玮 ;

陈富信 .

中国专利 :CN101572270A ,2009-11-04

[6]

垂直型金属氧化物半导体晶体管 [P].

长谷川尚 ;

小山内润 .

中国专利 :CN1293455A ,2001-05-02

[7]

沟槽式金属氧化物半导体晶体管 [P].

李乐 ;

王立斌 ;

汪洋 ;

彭树根 .

中国专利 :CN101819974A ,2010-09-01

[8]

金属氧化物半导体晶体管对装置 [P].

小笹正之 ;

冈本龙镇 ;

栗本秀彦 ;

道正志郎 ;

长冈一彦 .

中国专利 :CN1160774C ,1999-10-13

[9]

双扩散金属氧化物半导体晶体管 [P].

大竹诚治 ;

菊地修一 ;

武田安弘 ;

牧贤一 .

中国专利 :CN101567387A ,2009-10-28

[10]

金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

林焕顺 ;

蔡振华 ;

萧维沧 ;

孟宪樑 ;

施泓林 .

中国专利 :CN1953208A ,2007-04-25

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