基于垂直沟道的异质结场效应管器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710086528.9

申请日：

2017-02-17

公开(公告)号：

CN106684143A

公开(公告)日：

2017-05-17

发明(设计)人：

董志华蔡勇程知群刘国华柯华杰周涛

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20170517
2017-05-17	公开	公开
2017-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101726053961 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2017100865289 申请日:20170217

共 50 条

[1]

异质结结构及其制备方法、异质结场效应管及其制备方法 [P].

张乃千 .

中国专利 :CN104009077A ,2014-08-27

[2]

异质结场效应管及其制作方法 [P].

袁理 .

中国专利 :CN103579332A ,2014-02-12

[3]

超结场效应管及超结场效应管的制造方法 [P].

吴多武 ;

许正一 ;

马清杰 .

中国专利 :CN108565289A ,2018-09-21

[4]

场效应管器件 [P].

冯鹏 ;

陈面国 ;

蔡宗叡 .

中国专利 :CN208835069U ,2019-05-07

[5]

超结场效应管及超结场效应管的制造方法 [P].

吴多武 ;

马清杰 ;

许正一 .

中国专利 :CN108054212A ,2018-05-18

[6]

一种GaN异质结纵向场效应管 [P].

周琦 ;

朱若璞 ;

陈万军 ;

张波 .

中国专利 :CN107393954A ,2017-11-24

[7]

基于InN/AlGaN/GaN异质结的p沟道金属氧化物半导体场效应管及制备方法 [P].

许晟瑞 ;

徐爽 ;

刘旭 ;

王心灏 ;

卢颢 ;

张涛 ;

张雅超 ;

薛军帅 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN115188820B ,2025-12-02

[8]

超结场效应管 [P].

吴多武 ;

许正一 ;

马清杰 .

中国专利 :CN208271907U ,2018-12-21

[9]

超结场效应管 [P].

吴多武 ;

马清杰 ;

许正一 .

中国专利 :CN207676910U ,2018-07-31

[10]

场效应管器件及其制造方法 [P].

冯鹏 ;

陈面国 ;

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111092120A ,2020-05-01

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