用于制造光吸收聚合物基质的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201880074562.7
申请日
2018-12-19
公开(公告)号
CN111356734A
公开(公告)日
2020-06-30
发明(设计)人
J·比托 R·贝松 P·弗罗芒坦
申请人
申请人地址
法国沙朗通勒蓬
IPC主分类号
C08K910
IPC分类号
G02B104
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
张振军;刘娜
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
聚合物基质、其用途和制造该聚合物基质的方法 [P]. 
马蒂亚斯.奥尔兰德 ;
比利.泽德瓦尔 .
中国专利 :CN105288742A ,2016-02-03
[2]
聚合物基质、其用途和制造该聚合物基质的方法 [P]. 
马蒂亚斯·奥尔兰德 ;
比利·泽德瓦尔 .
中国专利 :CN101460201A ,2009-06-17
[3]
用于光学聚合物的光吸收化合物 [P]. 
A·K·阿瓦斯蒂 ;
D·P·范德比尔特 ;
R·孟 .
中国专利 :CN104508080B ,2015-04-08
[4]
新型聚合物基质电极 [P]. 
A·波塞亚 ;
M·瓦伦蒂尼 .
:CN114364977B ,2025-08-08
[5]
新型聚合物基质电极 [P]. 
A·波塞亚 ;
M·瓦伦蒂尼 .
中国专利 :CN114364977A ,2022-04-15
[6]
热塑性聚合物基质的生产方法 [P]. 
D·海德奇迪派塔 ;
K·克里弗特佐夫拉古恩斯 ;
L·R·贝多尔都斯桑图斯 ;
T·科蒂洛巴斯托 ;
T·卡诺瓦 .
中国专利 :CN102131850A ,2011-07-20
[7]
可生物再吸收聚合物基质及其制造和使用方法 [P]. 
G·P·罗耶 .
中国专利 :CN101247789B ,2008-08-20
[8]
制造在聚合物的基质中引入有纳米结构的聚合物的方法 [P]. 
陆松伟 ;
T·G·鲁卡维纳 ;
M·阿巴卜 .
中国专利 :CN101010363B ,2007-08-01
[9]
具有聚合物基质的插件框架及其制造方法 [P]. 
卓尔·赫尔维茨 ;
黄士辅 .
中国专利 :CN104270885A ,2015-01-07
[10]
用于制造聚合物基质电池的电化学单元的方法 [P]. 
让-路易·费兰迪斯 ;
罗杰·佩伦茨 .
法国专利 :CN120153485A ,2025-06-13