一种基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111294979.4

申请日：

2021-11-03

公开(公告)号：

CN114023877A

公开(公告)日：

2022-02-08

发明(设计)人：

王红军张韩宇朱媛媛魏红

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学园

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

高博

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20211103
2022-02-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种卤化物钙钛矿薄膜制备方法 [P].

曾强 ;

张茗珺 ;

郑镕泽 ;

刘芳洋 ;

李林鸿 ;

李畅 ;

蒋良兴 ;

刘丝靓 .

中国专利 :CN120500249A ,2025-08-15

[2]

一种钙钛矿忆阻器及其制备方法 [P].

廖广兰 ;

叶海波 ;

刘智勇 ;

刘星月 ;

张许宁 ;

史铁林 ;

汤自荣 .

中国专利 :CN112820824A ,2021-05-18

[3]

一种卤化物钙钛矿薄膜及其制备方法、装置 [P].

盛余松 ;

张德义 .

中国专利 :CN115583802A ,2023-01-10

[4]

一种卤化物钙钛矿薄膜及其制备方法、装置 [P].

盛余松 ;

张德义 .

中国专利 :CN115583802B ,2024-05-17

[5]

一种无铅全无机卤化物Cs3Cu2Br5钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

朱媛媛 ;

王红军 ;

郭子聪 ;

周静 ;

刘雍 ;

熊锐 .

中国专利 :CN115332441A ,2022-11-11

[6]

一种多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿忆阻器 [P].

黄安平 ;

陈学良 .

中国专利 :CN111816765A ,2020-10-23

[7]

掺杂钛酸钡的有机金属卤化物钙钛矿薄膜制备方法 [P].

赵晋津 ;

贾春媚 ;

欧云 ;

谢淑红 ;

魏丽玉 ;

刘正浩 .

中国专利 :CN107591481B ,2018-01-16

[8]

一种厚度可控卤化物钙钛矿薄膜的制备方法 [P].

任天令 ;

囤冠华 ;

覃肯 ;

耿祥顺 ;

谢丹 .

中国专利 :CN115491201A ,2022-12-20

[9]

一种无铅钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

杨威 ;

邵赫 ;

凌海峰 ;

明建宇 ;

庄静文 ;

解令海 ;

黄维 .

中国专利 :CN115084367A ,2022-09-20

[10]

一种二维杂化卤化物钙钛矿纳米片的制备方法 [P].

肖冠军 ;

赵电龙 ;

马志伟 ;

丛铭 ;

邹勃 .

中国专利 :CN113979870A ,2022-01-28

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