一种表面等离子体超分辨干法光刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210107638.6

申请日：

2012-04-13

公开(公告)号：

CN102636965B

公开(公告)日：

2012-08-15

发明(设计)人：

罗先刚赵泽宇王长涛冯沁王彦钦刘利芹陶兴胡承刚黄成杨磊磊

申请人：

申请人地址：

610209 四川省成都市双流350信箱

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G03F730

代理机构：

北京科迪生专利代理有限责任公司 11251

代理人：

杨学明;顾炜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-15	公开	公开
2012-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101332120014 IPC(主分类):G03F 7/20 专利申请号:2012101076386 申请日:20120413
2013-12-11	授权	授权

共 50 条

[1]

表面等离子体纳米光刻法 [P].

李海华 .

中国专利 :CN101587296A ,2009-11-25

[2]

一种表面等离子体光刻中小分子光刻胶的干法显影方法 [P].

罗先刚 ;

马晓亮 ;

蒲明博 ;

刘利芹 ;

王长涛 .

中国专利 :CN109521657A ,2019-03-26

[3]

表面等离子体共振曝光光刻方法 [P].

叶志成 ;

郑君 .

中国专利 :CN101441411B ,2009-05-27

[4]

表面等离子体纳米光刻结构及方法 [P].

王钦华 ;

陈根华 ;

楼益民 ;

曹冰 ;

许富洋 .

中国专利 :CN102636967A ,2012-08-15

[5]

一种超长工作距表面等离子体超衍射光刻装置及方法 [P].

罗先刚 ;

冯沁 ;

王长涛 ;

赵泽宇 ;

王彦钦 ;

杨欢 ;

黄成 ;

杨磊磊 ;

陶兴 ;

姚纳 .

中国专利 :CN102621821A ,2012-08-01

[6]

真空表面等离子体光刻装置 [P].

罗先刚 ;

马晓亮 ;

高平 ;

赵泽宇 ;

蒲明博 ;

薛磊 .

中国专利 :CN107817654A ,2018-03-20

[7]

一种表面等离子体光刻成像结构 [P].

马乐 ;

韦亚一 ;

张利斌 .

中国专利 :CN117492330A ,2024-02-02

[8]

表面等离子体光刻图形的修正方法 [P].

马乐 ;

韦亚一 ;

张利斌 ;

何建芳 .

中国专利 :CN116068859B ,2025-09-26

[9]

激发表面等离子体的纳米光刻方法 [P].

李海华 ;

王庆康 ;

朱明轩 .

中国专利 :CN101846880A ,2010-09-29

[10]

表面等离子体增强型只读式超分辨数字光盘 [P].

魏劲松 ;

何红 ;

干福熹 .

中国专利 :CN1725332A ,2006-01-25

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