形成于半导体基底上的电感器及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610159216.8

申请日：

2006-09-22

公开(公告)号：

CN100527415C

公开(公告)日：

2008-03-26

发明(设计)人：

许村来欧俊宏陈瑞芳许绩威

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2700

IPC分类号：

H01L2704 H01L2100 H01L2102 H01L21822 H01F1700 H01F4100

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-12	授权	授权
2008-03-26	公开	公开
2008-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

在半导体器件上形成电感器的方法 [P].

黃祥逸 ;

郑石源 .

中国专利 :CN100505161C ,2008-02-06

[2]

电感器及其形成方法 [P].

孔蔚然 .

中国专利 :CN101996861A ,2011-03-30

[3]

形成电感器的方法以及半导体结构 [P].

D·C·埃德尔斯坦 ;

P·C·安德里卡科斯 ;

J·M·科特 ;

H·德利吉安尼 ;

J·H·梅格莱因 ;

K·S·彼得拉尔卡 ;

K·J·施泰因 ;

R·P·沃朗 .

中国专利 :CN100341112C ,2005-08-03

[4]

电感器及其形成方法 [P].

刘玮荪 .

中国专利 :CN106898458A ,2017-06-27

[5]

电感器及其形成方法 [P].

柳寿铉 ;

彭世雄 ;

金政民 ;

吕正九 ;

金太勋 ;

李祥准 ;

郑地亨 ;

柳志满 ;

郑道暎 .

中国专利 :CN106205954B ,2016-12-07

[6]

电感器及其形成方法 [P].

黄曦 ;

王晓东 ;

王西宁 ;

钱蔚宏 .

中国专利 :CN118714916A ,2024-09-27

[7]

半导体元件、半导体基底及其形成方法 [P].

薛芳昌 ;

林恒光 .

中国专利 :CN108198855A ,2018-06-22

[8]

SOI基底及其形成方法、半导体结构及其形成方法 [P].

刘松 ;

李炜 ;

汪聪颖 ;

李文龙 ;

魏星 .

中国专利 :CN119601528A ,2025-03-11

[9]

电感器结构及其形成方法 [P].

张欢 ;

戴和平 ;

王硕 .

中国专利 :CN111788642A ,2020-10-16

[10]

电感器件及其形成方法 [P].

王晓东 ;

刘凌 ;

钱蔚宏 .

中国专利 :CN115692382A ,2023-02-03

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