单晶纳米线阵列的合成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010536975.8

申请日：

2010-11-09

公开(公告)号：

CN101985774A

公开(公告)日：

2011-03-16

发明(设计)人：

吴凯宫勇吉余捷峰黄斌尚鉴

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

C30B2504

IPC分类号：

C30B2962

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360

代理人：

贾晓玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101067505255 IPC(主分类):C30B 25/04 专利申请号:2010105369758 申请日:20101109
2011-03-16	公开	公开
2018-11-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 25/04 申请日:20101109 授权公告日:20120502 终止日期:20171109
2012-05-02	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶银纳米线的合成方法 [P].

赵启涛 ;

侯立松 ;

黄瑞安 .

中国专利 :CN1203949C ,2003-06-18

[2]

纳米线阵列的雕刻方法及纳米线阵列 [P].

程春 ;

石润 ;

刘世源 ;

陈鹏程 ;

欧阳文开 ;

陈宏 ;

张亮 .

中国专利 :CN107112234A ,2017-08-29

[3]

氢氧化镉单晶纳米线的合成方法 [P].

唐波 ;

禚林海 ;

葛介超 .

中国专利 :CN1546382A ,2004-11-17

[4]

氧化钼－聚苯胺复合单晶纳米线的合成方法 [P].

唐颐 ;

高庆生 ;

张亚红 .

中国专利 :CN101376745A ,2009-03-04

[5]

高长径比硫化镍单晶纳米线阵列的制备方法 [P].

杜卫民 ;

张有娟 ;

徐亚利 ;

魏少红 ;

魏成振 .

中国专利 :CN106757367B ,2017-05-31

[6]

一种单晶氧化硅纳米线的合成方法 [P].

陈平 ;

任楠 ;

杨佑浩 ;

唐颐 .

中国专利 :CN1332881C ,2006-03-01

[7]

一种形成有机纳米线阵列的方法及有机纳米线阵列 [P].

许金友 ;

赵子豪 ;

王兴宇 ;

廖记辉 ;

张玲玉 ;

宋健 ;

宋佳迅 ;

周国富 .

中国专利 :CN113913744A ,2022-01-11

[8]

多孔碳化钼纳米线的合成方法 [P].

唐颐 ;

高庆生 ;

张亚红 .

中国专利 :CN101367521A ,2009-02-18

[9]

形成纳米线阵列的方法 [P].

洪培真 ;

徐秋霞 ;

殷华湘 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105742239A ,2016-07-06

[10]

厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法 [P].

孙家林 ;

曹阳 ;

姚海飞 ;

张建红 ;

时硕 ;

郭继华 ;

刘伟 .

中国专利 :CN1709789A ,2005-12-21

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