一种高立方织构高钨含量Ni-W合金基带的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110377866.0
申请日
2011-11-24
公开(公告)号
CN102500638B
公开(公告)日
2012-06-20
发明(设计)人
索红莉 袁冬梅 高忙忙 马麟 王金华 田辉 王营霞
申请人
申请人地址
100124 北京市朝阳区平乐园100号
IPC主分类号
B21C3702
IPC分类号
C22F110 B21B900 B21B3774
代理机构
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203
代理人
刘萍
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
一种改善高钨含量Ni-W合金基带立方织构的方法 [P]. 
高忙忙 ;
索红莉 ;
赵跃 ;
高培阔 ;
祝永华 ;
王建宏 ;
刘敏 ;
马麟 .
中国专利 :CN101635187B ,2010-01-27
[2]
一种制备无磁性立方织构Ni-W合金基带的方法 [P]. 
高忙忙 ;
索红莉 ;
赵跃 ;
高培阔 ;
祝永华 ;
王建宏 ;
刘敏 ;
马麟 .
中国专利 :CN101635186B ,2010-01-27
[3]
一种无/低磁性立方织构Ni-W合金基带的制备方法 [P]. 
高忙忙 ;
索红莉 ;
高培阔 ;
赵跃 ;
马麟 ;
王建宏 ;
刘敏 ;
邱火勤 .
中国专利 :CN101635185A ,2010-01-27
[4]
一种低成本高立方织构含量镍基带的制备方法 [P]. 
陈兴品 ;
杨梦娟 ;
李龙飞 ;
陈雪 ;
刘庆 .
中国专利 :CN103194704B ,2013-07-10
[5]
一种高W含量的Ni-W合金基带的制备方法 [P]. 
杨光 ;
曾坤蓉 ;
王卫永 ;
王岗 ;
张素玲 .
中国专利 :CN111172483A ,2020-05-19
[6]
一种无或低磁性、立方织构Ni-W合金复合基带的制备方法 [P]. 
索红莉 ;
孟易辰 ;
王毅 ;
尹小文 ;
马麟 ;
田辉 ;
王金华 ;
李孟晓 .
中国专利 :CN103060731B ,2013-04-24
[7]
一种强立方织构Ni‑10at.%W合金基带的制备方法 [P]. 
刘志勇 ;
陈永强 ;
黎文峰 ;
杨海刚 ;
杨纪恩 .
中国专利 :CN106381418B ,2017-02-08
[8]
一种涂层超导高W含量Ni-W合金基带的制备方法 [P]. 
索红莉 ;
祝永华 ;
赵跃 ;
马麟 ;
刘敏 ;
高忙忙 ;
程艳玲 ;
何东 ;
周美龄 .
中国专利 :CN101249607A ,2008-08-27
[9]
一种强立方织构、低磁性复合型Ni-W合金基带的制备方法 [P]. 
索红莉 ;
孟易辰 ;
马麟 ;
王毅 ;
田辉 ;
王金华 ;
李孟晓 ;
梁雅儒 .
中国专利 :CN103236321B ,2013-08-07
[10]
一种无磁性织构NiV合金基带的制备方法 [P]. 
索红莉 ;
袁冬梅 ;
高忙忙 ;
邱火勤 ;
马麟 ;
刘敏 ;
田辉 ;
王营霞 ;
徐燕 ;
王金华 .
中国专利 :CN102154577B ,2011-08-17