一种三元MOF纳米片阵列材料、制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811095023.X

申请日：

2018-09-19

公开(公告)号：

CN109252180B

公开(公告)日：

2019-01-22

发明(设计)人：

张小俊丁孟梦

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区花津南路安徽师范大学

IPC主分类号：

C25B104

IPC分类号：

C25B11031 C25B11061 C25B11091 C23C1850 B01J3122 B82Y3000

代理机构：

芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107

代理人：

任晨晨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-09	授权	授权
2019-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25B 1/04 申请日:20180919
2019-01-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种钴掺杂二硫化锡纳米片阵列材料及其制备方法和应用 [P].

张小俊 ;

蒋美文 .

中国专利 :CN109289874B ,2019-02-01

[2]

三元钴镍硒化物纳米片阵列电极材料及其制备方法 [P].

杜卫民 ;

杜路路 ;

曹智 ;

程承 ;

邓德华 .

中国专利 :CN109003824A ,2018-12-14

[3]

一种四氧化三钴分级结构纳米阵列材料、制备方法及其应用 [P].

张小俊 ;

丁孟梦 .

中国专利 :CN108346522A ,2018-07-31

[4]

一种三金属MOF纳米片阵列的制备方法 [P].

曹澥宏 ;

尹瑞连 ;

刘文贤 ;

施文慧 .

中国专利 :CN110776646A ,2020-02-11

[5]

MOF表面改性纳米片结构三元正极材料的制备方法及其产品和应用 [P].

何丹农 ;

吴晓燕 ;

张芳 ;

段磊 ;

李敏 ;

金彩虹 .

中国专利 :CN107887599A ,2018-04-06

[6]

一种锰掺杂的镍MOF纳米片阵列材料及制备方法和应用 [P].

陈作锋 ;

熊登科 ;

刘璇 ;

何晓洋 ;

屠振涛 ;

汪建营 .

中国专利 :CN117987873A ,2024-05-07

[7]

一种硫醇改性的镍MOF纳米片阵列材料及制备方法和应用 [P].

陈作锋 ;

熊登科 ;

何晓洋 ;

屠振涛 ;

薛书杰 ;

吴德礼 .

中国专利 :CN120006344A ,2025-05-16

[8]

MOF衍生的高熵氮化物纳米片阵列的制备方法及其应用 [P].

张惠 ;

朱畅 ;

李坤振 ;

赵艺萌 ;

孙锡妹 ;

杨羽鹏 ;

卢磊磊 .

中国专利 :CN119098580A ,2024-12-10

[9]

镍硫硒三元化合物纳米棒阵列电极材料及其制备方法 [P].

杜卫民 ;

刘欣 ;

邵丽华 ;

朱琳 ;

曹智 ;

邓德华 .

中国专利 :CN112429706A ,2021-03-02

[10]

一种三元纳米复合电极材料的制备方法及其应用 [P].

张玉新 ;

李勇 ;

尹鹏冲 ;

郝用兴 .

中国专利 :CN116092840B ,2024-05-31

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