一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010616645.X

申请日：

2010-12-30

公开(公告)号：

CN102540776B

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

卞玉桂顾奇朱海盛

申请人：

申请人地址：

215218 江苏省苏州市吴中区苏蠡路81号

IPC主分类号：

G03F742

IPC分类号：

H01L2102 H01L21311

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司 32102

代理人：

陈忠辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322512637 IPC(主分类):G03F 7/42 专利申请号:201010616645X 申请日:20101230
2012-07-04	公开	公开
2013-07-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种适用半导体领域的光刻胶剥离液及制备方法 [P].

尹淞 ;

冯继恒 ;

鲁晨泓 ;

张建 ;

刘江华 .

中国专利 :CN112711176A ,2021-04-27

[2]

光刻胶去除工艺及半导体制造工艺 [P].

于良成 ;

惠利省 ;

杨国文 .

中国专利 :CN114823297A ,2022-07-29

[3]

一种去除光刻胶的水系剥离液组合物 [P].

卞玉桂 .

中国专利 :CN104614954A ,2015-05-13

[4]

去除光刻胶残留的方法 [P].

韩秋华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101587833A ,2009-11-25

[5]

半导体边缘光刻胶去除方法 [P].

薛广杰 ;

胡华 ;

李赟 .

中国专利 :CN110568730A ,2019-12-13

[6]

用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物 [P].

水谷笃史 ;

W·A·沃伊特恰克 ;

杉岛泰雄 ;

R·萨卡穆里 .

美国专利 :CN114008537B ,2025-04-25

[7]

用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物 [P].

水谷笃史 ;

W·A·沃伊特恰克 ;

杉岛泰雄 ;

R·萨卡穆里 .

中国专利 :CN114008537A ,2022-02-01

[8]

用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物 [P].

水谷笃史 ;

W·A·沃伊特恰克 ;

杉岛泰雄 .

中国专利 :CN109195720B ,2019-01-11

[9]

一种去除剥离液中光刻胶的闪蒸装置 [P].

张保军 ;

岳秀伟 ;

王新亮 .

中国专利 :CN212246287U ,2020-12-29

[10]

用于半导体制造的光刻胶剥离剂组合物 [P].

金铉卓 ;

朴成焕 ;

林廷训 ;

金圣培 ;

郑燦珍 ;

白贵宗 ;

韩雄 ;

李相源 ;

李健雄 .

中国专利 :CN101371199A ,2009-02-18

← 1 2 3 4 5 →