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半导体制冷散热器
被引：0
专利类型：
外观设计
申请号：
CN202130777629.8
申请日：
2021-11-25
公开(公告)号：
CN307205210S
公开(公告)日：
2022-03-25
发明(设计)人：
胡世德
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市龙华区致远中路深圳北站西广场A1物业2层208A
IPC主分类号：
2304
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-03-25 | 授权 | 授权 |