CdTe/CdS/ZnS/SiO2量子点的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410046859.6

申请日：

2014-01-29

公开(公告)号：

CN103773358A

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

胡琴魏芳弟刘丽云许贯虹杨静周萍刘利萍

申请人：

申请人地址：

210029 江苏省南京市汉中路140号

IPC主分类号：

C09K1102

IPC分类号：

C09K1188

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

曹翠珍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	公开	公开
2015-08-19	授权	授权
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582742264 IPC(主分类):C09K 11/02 专利申请号:2014100468596 申请日:20140129
2017-03-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101708965493 IPC(主分类):C09K 11/02 专利号:ZL2014100468596 申请日:20140129 授权公告日:20150819 终止日期:20160129

共 50 条

[1]

包含水溶性CdTe量子点的SiO2微球的制备方法 [P].

马晓波 ;

姬相玲 ;

王策 ;

聂伟 .

中国专利 :CN101892055A ,2010-11-24

[2]

一种CdTe/CdS/SiO2复合荧光纳米粒子的制备方法 [P].

代昭 ;

宋娇娇 ;

马杏萌 .

中国专利 :CN102311736A ,2012-01-11

[3]

一种水溶性CdTe/CdS/ZnS核/壳/壳型量子点的制备方法 [P].

黄珊 ;

肖琦 ;

苏炜 .

中国专利 :CN102703085A ,2012-10-03

[4]

CDs/SiO2/AuNCs比率荧光探针、制备方法及应用 [P].

刘海舰 .

中国专利 :CN109609125A ,2019-04-12

[5]

一种SiO2包覆的CdS量子点纳米复合薄膜的制备方法 [P].

秦娟 ;

王国华 ;

陈振一 ;

廖阳 ;

李季戎 ;

钱隽 ;

史伟民 ;

孙纽一 .

中国专利 :CN103289683A ,2013-09-11

[6]

CdSe/SiO2量子点复合荧光纳米粒子的制备方法 [P].

谢春娟 ;

李剑 ;

尹东光 ;

张礼 ;

刘斌虎 ;

张乐 ;

吴明红 .

中国专利 :CN101724402A ,2010-06-09

[7]

沉积SiO2膜的方法 [P].

凯瑟琳·贾尔斯 ;

安德鲁·普赖斯 ;

斯蒂芬·罗伯特·伯吉斯 ;

丹尼尔·托马斯·阿尔卡德 .

中国专利 :CN102108497B ,2011-06-29

[8]

CdZnSeS/ZnS量子点的制备方法 [P].

华路 ;

张洁君 .

中国专利 :CN107903900A ,2018-04-13

[9]

CdSe/CdS或CdSe/ZnS核/壳型量子点的制备方法 [P].

庞代文 ;

谢海燕 ;

侯安新 .

中国专利 :CN1403379A ,2003-03-19

[10]

SiO2溶胶凝胶液及用其制备压电颗粒表面SiO2涂层的方法 [P].

王浩伟 ;

翁巍 ;

马乃恒 ;

汪正兴 .

中国专利 :CN101481117B ,2009-07-15

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