一种含高浓度无序点缺陷的SnTe基热电材料及其制备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911415949.7

申请日：

2019-12-31

公开(公告)号：

CN111312887A

公开(公告)日：

2020-06-19

发明(设计)人：

裴艳中李文唐婧

申请人：

申请人地址：

200092 上海市杨浦区四平路1239号

IPC主分类号：

H01L3516

IPC分类号：

H01L3534

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人：

刘燕武

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 35/16 申请日:20191231
2020-06-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种掺钆SnTe基热电材料及其制备方法 [P].

郑灵浪 ;

高志飞 ;

谢浩 ;

尤新安 ;

王贤江 .

中国专利 :CN109273583A ,2019-01-25

[2]

一种SnTe基热电材料及其制备方法 [P].

李涵 ;

方禹 ;

朱泽威 ;

蔡鸿楷 ;

马家豪 .

中国专利 :CN120282700A ,2025-07-08

[3]

一种GeTe基高性能热电材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

李娟 .

中国专利 :CN106830940A ,2017-06-13

[4]

一种BiSbTe基热电材料及其制备方法 [P].

刘峰铭 ;

李敬锋 ;

蔡博文 .

中国专利 :CN115466120A ,2022-12-13

[5]

一种Ge、Bi双掺杂的SnTe基热电材料及其制备方法 [P].

唐国栋 ;

徐永杰 ;

李爽 ;

张青堂 .

中国专利 :CN115117227A ,2022-09-27

[6]

一种SnTe基高性能热电材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

唐婧 .

中国专利 :CN108447972B ,2018-08-24

[7]

一种SnTe掺Ge热电材料及其制备方法 [P].

黄鹏儒 ;

黄强 ;

孙志海 ;

张颖 ;

彭乐宇 ;

李子源 ;

张忠玮 ;

刘呈燕 ;

徐芬 ;

孙立贤 .

中国专利 :CN112838157A ,2021-05-25

[8]

一种MnTe2基新型热电材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

徐屹东 .

中国专利 :CN108511588A ,2018-09-07

[9]

锑化镁基热电材料及其制备方法和应用 [P].

李敬锋 ;

李静薇 .

中国专利 :CN114890791B ,2022-08-12

[10]

一种Ag掺杂的GeSe基热电材料及其制备方法和应用 [P].

李煜 ;

向有缘 ;

张晗 ;

李均钦 ;

刘福生 ;

张朝华 .

中国专利 :CN110491988A ,2019-11-22

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