接触孔刻蚀方法、集成电路制造方法以及集成电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110366186.9

申请日：

2011-11-17

公开(公告)号：

CN102364674A

公开(公告)日：

2012-02-29

发明(设计)人：

石磊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

陆花

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-11	授权	授权
2012-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101222310922 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011103661869 申请日:20111117
2012-02-29	公开	公开

共 50 条

[1]

通孔刻蚀方法、集成电路制造方法和集成电路 [P].

俞柳江 .

中国专利 :CN102386138A ,2012-03-21

[2]

集成电路制造方法以及集成电路装置 [P].

凌坚 .

中国专利 :CN117497483A ,2024-02-02

[3]

集成电路以及制造集成电路的方法 [P].

A·梅瑟 ;

M·聪德尔 ;

T·施勒塞尔 .

中国专利 :CN104347625B ,2015-02-11

[4]

集成电路制造方法以及集成电路装置 [P].

凌坚 .

中国专利 :CN117497483B ,2024-04-12

[5]

集成电路制造方法 [P].

菲特·恩古耶恩霍安 ;

拉杜·苏尔代业努 ;

伯努特·巴泰娄 .

中国专利 :CN102007593A ,2011-04-06

[6]

内层电介质沉积方法、集成电路制造方法以及集成电路 [P].

王灼平 ;

沈玺 .

中国专利 :CN102427035A ,2012-04-25

[7]

集成电路以及用于制造集成电路的方法 [P].

福尔克尔·杜德克 ;

米夏埃多·格拉夫 ;

安德烈·海德 ;

斯特凡·施万特斯 .

中国专利 :CN1881589A ,2006-12-20

[8]

电容单元、集成电路、集成电路设计方法以及集成电路制造方法 [P].

金成克直 .

中国专利 :CN101647111A ,2010-02-10

[9]

集成电路、信号传输方法以及集成电路制造方法 [P].

杨海斌 ;

袁永斌 .

中国专利 :CN102569267A ,2012-07-11

[10]

集成电路及集成电路制造方法 [P].

耶罗恩·范登博门 .

中国专利 :CN102105986A ,2011-06-22

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