CIGS系化合物太阳能电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480008166.6

申请日：

2014-01-24

公开(公告)号：

CN104995749B

公开(公告)日：

2015-10-21

发明(设计)人：

寺地诚喜河村和典山本祐辅西井洸人渡边太一

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L310749

IPC分类号：

H01L310296 C01B1904 C23C1406 H01L21363

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633532974 IPC(主分类):H01L 31/0749 专利申请号:2014800081666 申请日:20140124
2023-01-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/0749 申请日:20140124 授权公告日:20161019 终止日期:20220124
2015-10-21	公开	公开
2016-10-19	授权	授权

共 50 条

[1]

CIGS系化合物太阳能电池 [P].

寺地诚喜 ;

河村和典 ;

西井洸人 ;

渡边太一 .

中国专利 :CN104137272A ,2014-11-05

[2]

化合物薄膜太阳能电池 [P].

中川直之 ;

堀田康之 ;

樱田新哉 ;

西田靖孝 ;

伊藤聪 .

中国专利 :CN102473747A ,2012-05-23

[3]

化合物太阳能电池 [P].

奥真司 ;

中田芳智 .

日本专利 :CN120548786A ,2025-08-26

[4]

化合物薄膜太阳能电池、化合物薄膜太阳能电池的制造方法及化合物薄膜太阳能电池模块 [P].

楠敏明 ;

佐川雅一 ;

小松正明 .

中国专利 :CN102110722A ,2011-06-29

[5]

薄膜Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池 [P].

N·潘 ;

G·希勒 ;

D·P·沃 ;

R·塔塔瓦蒂 ;

C·由特希 ;

D·麦卡鲁姆 ;

G·玛丁 .

中国专利 :CN101785115A ,2010-07-21

[6]

CIGS型太阳能电池和CIGS型太阳能电池用基板 [P].

光井彰 ;

冈东健 ;

小高秀文 ;

川本泰 .

中国专利 :CN102918652A ,2013-02-06

[7]

化合物薄膜太阳能电池及其制备方法 [P].

唐江 ;

周英 ;

冷美英 ;

刘新胜 ;

韩珺 ;

罗苗 .

中国专利 :CN104659123A ,2015-05-27

[8]

化合物太阳能电池的制造方法 [P].

寺地诚喜 ;

河村和典 ;

西井洸人 ;

渡边太一 .

中国专利 :CN104137273A ,2014-11-05

[9]

化合物太阳能电池及其制造方法 [P].

寺地诚喜 ;

河村和典 ;

西井洸人 ;

渡边太一 ;

山本祐辅 .

中国专利 :CN104603957A ,2015-05-06

[10]

多结化合物半导体太阳能电池 [P].

佐佐木和明 ;

安居院高明 .

中国专利 :CN102782864A ,2012-11-14

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