一种具有可控氧空位分布的三氧化钨电极及制备和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911201693.X

申请日：

2019-11-29

公开(公告)号：

CN112875836A

公开(公告)日：

2021-06-01

发明(设计)人：

李灿邵晨熠宗旭

申请人：

申请人地址：

116023 辽宁省大连市沙河口区中山路457-41号

IPC主分类号：

C02F172

IPC分类号：

C02F1467 C02F1461

代理机构：

沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002

代理人：

郑伟健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	公开	公开
2021-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C02F 1/72 申请日:20191129
2022-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

含表面氧空位三氧化钨及其制备和光催化乙腈氧化应用 [P].

程合锋 ;

孙悦文 ;

黄柏标 ;

王泽岩 ;

王朋 ;

刘媛媛 ;

郑昭科 ;

张倩倩 ;

张晓阳 .

中国专利 :CN117983207A ,2024-05-07

[2]

一种具有可控氧空位的氧化钨催化剂及其制备方法和应用 [P].

张怀伟 ;

鲍亮 ;

陈逸凡 ;

裴浪 ;

吴诗婷 ;

白王峰 ;

元勇军 .

中国专利 :CN112742375A ,2021-05-04

[3]

一种富氧空位的海胆状氧化钨及其制备方法和应用 [P].

尹双凤 ;

胡彪 ;

陈浪 ;

申升 ;

郭君康 ;

谢庭亮 ;

蒋诗扬 ;

王丙昊 .

中国专利 :CN112892521A ,2021-06-04

[4]

一种将氧空位可控制备到三氧化钨特定晶面上的方法 [P].

刘太丰 ;

张青岩 ;

刘汝月 ;

杨建军 .

中国专利 :CN114956183B ,2023-02-17

[5]

含氧空位三氧化钨催化剂及其制备方法和应用 [P].

陆国平 ;

徐凯 ;

宋豪文 ;

赵思聪 .

中国专利 :CN120079371A ,2025-06-03

[6]

一种自上而下制备含有氧空位的三氧化钨纳米片的方法和应用 [P].

朱乐杰 ;

古文泉 ;

朱健 ;

刘承帅 ;

刘东昊 ;

蔡隆均 ;

林柏桦 .

中国专利 :CN118458828A ,2024-08-09

[7]

一种带有氧空位的单斜相三氧化钨的制备方法 [P].

卢靖 ;

程龙 ;

梁阔燚 ;

贾娜 ;

李晓艺 ;

黄剑锋 .

中国专利 :CN108083341A ,2018-05-29

[8]

纳米块状基多孔三氧化钨薄膜电极的制备方法以及三氧化钨薄膜电极 [P].

沈晓彦 ;

赵伟 ;

段晓菲 .

中国专利 :CN102418116A ,2012-04-18

[9]

一种铁掺杂三氧化钨光电极的制备方法 [P].

刘润 ;

刘丽英 ;

王萍 ;

徐铸德 ;

许宜铭 .

中国专利 :CN102691071B ,2012-09-26

[10]

一种片状三氧化钨光电极及其制备方法 [P].

李灿 ;

王楠 ;

施晶莹 ;

郑霄家 .

中国专利 :CN104711528A ,2015-06-17

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