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电吸收调制激光器的制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011542742.9
申请日
:
2020-12-23
公开(公告)号
:
CN112670823A
公开(公告)日
:
2021-04-16
发明(设计)人
:
周代兵
梁松
赵玲娟
王圩
申请人
:
申请人地址
:
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
IPC主分类号
:
H01S5068
IPC分类号
:
H01S5062
H01S5042
H01S522
H01S5343
代理机构
:
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
:
鄢功军
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-03-11
授权
授权
2021-05-04
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/068 申请日:20201223
2021-04-16
公开
公开
共 50 条
[1]
电吸收调制激光器及其制作方法
[P].
梁松
论文数:
0
引用数:
0
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0
梁松
;
剌晓波
论文数:
0
引用数:
0
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0
剌晓波
.
中国专利
:CN112072461A
,2020-12-11
[2]
电吸收调制激光器
[P].
陈欣
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华为技术有限公司
华为技术有限公司
陈欣
.
中国专利
:CN115336123B
,2025-04-04
[3]
电吸收调制激光器
[P].
温永阔
论文数:
0
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0
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0
温永阔
;
胡靖
论文数:
0
引用数:
0
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0
胡靖
;
邓刚
论文数:
0
引用数:
0
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0
邓刚
;
张雄辉
论文数:
0
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0
张雄辉
;
赵立军
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵立军
.
中国专利
:CN215497527U
,2022-01-11
[4]
电吸收调制激光器
[P].
陈欣
论文数:
0
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0
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0
陈欣
.
中国专利
:CN115336123A
,2022-11-11
[5]
电吸收调制激光器及其制作方法、通信设备
[P].
李玮淳
论文数:
0
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李玮淳
;
邓秋芳
论文数:
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邓秋芳
.
中国专利
:CN115706389A
,2023-02-17
[6]
一种电吸收调制激光器芯片及其制作方法
[P].
赵自闯
论文数:
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0
机构:
武汉国科光领半导体科技有限公司
武汉国科光领半导体科技有限公司
赵自闯
;
蒋晨龙
论文数:
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0
机构:
武汉国科光领半导体科技有限公司
武汉国科光领半导体科技有限公司
蒋晨龙
.
中国专利
:CN119134046B
,2025-05-23
[7]
一种电吸收调制激光器芯片及其制作方法
[P].
赵自闯
论文数:
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0
机构:
武汉国科光领半导体科技有限公司
武汉国科光领半导体科技有限公司
赵自闯
;
蒋晨龙
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
武汉国科光领半导体科技有限公司
武汉国科光领半导体科技有限公司
蒋晨龙
.
中国专利
:CN119134046A
,2024-12-13
[8]
电吸收调制激光器
[P].
刘应军
论文数:
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刘应军
;
阳红涛
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阳红涛
;
王任凡
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王任凡
.
中国专利
:CN112382923A
,2021-02-19
[9]
电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法
[P].
黄永光
论文数:
0
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黄永光
;
张瑞康
论文数:
0
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0
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0
张瑞康
;
王宝军
论文数:
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0
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王宝军
;
朱洪亮
论文数:
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朱洪亮
.
中国专利
:CN108242763A
,2018-07-03
[10]
电吸收调制激光器及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
周代兵
;
论文数:
引用数:
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机构:
贺卫利
;
论文数:
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机构:
安欣
;
论文数:
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机构:
梁松
;
论文数:
引用数:
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机构:
赵玲娟
.
中国专利
:CN116526298B
,2025-07-25
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