形成微电子装置的方法以及相关微电子装置和电子系统

被引：0

申请号：

CN202210749754.1

申请日：

2022-06-28

公开(公告)号：

CN115547932A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

F·A·席赛克-艾吉 K·R·帕雷克

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

H01L27108 G11C718 G11C814

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-30	公开	公开
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20220628

共 50 条

[1]

形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置和电子系统 [P].

F·A·席赛克-艾吉 .

中国专利 :CN115547934A ,2022-12-30

[2]

形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置和电子系统 [P].

F·A·席赛克-艾吉 ;

K·R·帕雷克 ;

B·D·巴里 .

中国专利 :CN115547933A ,2022-12-30

[3]

形成微电子装置的方法及相关的微电子装置和电子系统 [P].

F·A·席赛克·艾吉 .

美国专利 :CN117616896A ,2024-02-27

[4]

形成微电子装置的方法及相关的微电子装置及电子系统 [P].

F·A·席赛克·艾吉 ;

K·R·帕雷克 .

美国专利 :CN117898037A ,2024-04-16

[5]

微电子装置、相关的电子系统，及形成微电子装置的方法 [P].

F·A·席赛克-艾吉 .

美国专利 :CN117461130A ,2024-01-26

[6]

形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统 [P].

K·R·帕雷克 .

中国专利 :CN114843277A ,2022-08-02

[7]

形成微电子装置的方法以及相关微电子装置和电子系统 [P].

A·查杜鲁 ;

C·R·里奇 ;

D·A·克朗皮特 ;

S·M·I·侯赛因 .

美国专利 :CN112331656B ,2024-08-23

[8]

形成微电子装置的方法以及相关微电子装置和电子系统 [P].

A·查杜鲁 ;

C·R·里奇 ;

D·A·克朗皮特 ;

S·M·I·侯赛因 .

中国专利 :CN112331656A ,2021-02-05

[9]

形成微电子装置的方法以及相关微电子装置和电子系统 [P].

J·D·霍普金斯 ;

陈洁薇 ;

N·M·洛梅利 .

中国专利 :CN112750840B ,2021-05-04

[10]

形成微电子装置的方法及相关微电子装置和电子系统 [P].

赵博 ;

N·M·洛梅利 ;

徐丽芳 ;

A·L·奥尔森 .

中国专利 :CN115428151A ,2022-12-02

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