光刻胶残渣去除剂

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99802813.4

申请日：

1999-12-09

公开(公告)号：

CN1290402A

公开(公告)日：

2001-04-04

发明(设计)人：

矢田隆司寺山重树肥沼丰大串建

申请人：

申请人地址：

日本大阪

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

H01L21304 H01L21027 G03F742

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

龙传红

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-30	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更后:吉世科有限公司变更事项:地址变更前:日本大阪变更后:日本大阪变更事项:专利权人变更前:岸本产业株式会社
2001-04-04	公开	公开
2010-11-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101043685550 IPC(主分类):H01L 21/308 专利号:ZL998028134 变更事项:专利权人变更前权利人:吉世科有限公司变更后权利人:精密聚合株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪变更后权利人:日本东京登记生效日:20101013
2001-04-11	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2020-01-03	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/308 申请日:19991209 授权公告日:20040225
2004-02-25	授权	授权

共 50 条

[1]

光刻胶去除剂组合物 [P].

吴恒鹏 .

中国专利 :CN110383179B ,2019-10-25

[2]

一种光刻胶去除剂 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

孙广胜 ;

颜金荔 .

中国专利 :CN103869636A ,2014-06-18

[3]

光刻胶去除剂混合物 [P].

尹锡壹 ;

朴英雄 ;

吴昌一 ;

李相大 ;

柳终顺 .

中国专利 :CN1203378C ,2003-08-06

[4]

光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统 [P].

赵仲平 ;

张文龙 ;

戴茂春 ;

淮赛男 ;

周宇 .

中国专利 :CN113721430B ,2021-11-30

[5]

一种光刻胶去除剂 [P].

孙广胜 ;

刘兵 .

中国专利 :CN109976109A ,2019-07-05

[6]

光刻胶去除设备及光刻胶去除方法 [P].

邢程 ;

朱振华 .

中国专利 :CN113687575A ,2021-11-23

[7]

用于去除半导体器件的改性光刻胶的光刻胶去除剂组合物 [P].

尹锡壹 ;

金圣培 ;

郑宗铉 ;

朴熙珍 ;

金柄郁 .

中国专利 :CN1924710A ,2007-03-07

[8]

光刻胶去除装置和去除光刻胶的方法 [P].

张凇铭 ;

惠世鹏 ;

刘效岩 .

中国专利 :CN111610698A ,2020-09-01

[9]

光刻胶去除方法 [P].

李丹 ;

毛智彪 .

中国专利 :CN108281356B ,2018-07-13

[10]

光刻胶去除方法 [P].

高慧慧 ;

秦伟 ;

李程 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN104391434A ,2015-03-04

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