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一种高速、高压、高侧MOS驱动电路
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201621002148.X
申请日
:
2016-08-31
公开(公告)号
:
CN206023570U
公开(公告)日
:
2017-03-15
发明(设计)人
:
吴重重
王晨
李跃闯
李超
卢宁
张贯强
申请人
:
申请人地址
:
471009 河南省洛阳市西工区凯旋西路25号院
IPC主分类号
:
H02M108
IPC分类号
:
代理机构
:
洛阳市凯旋专利事务所 41112
代理人
:
韩晓静
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-03-15
授权
授权
2020-08-18
专利权的终止
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H02M 1/08 申请日:20160831 授权公告日:20170315 终止日期:20190831
共 50 条
[1]
一种NMOS高侧驱动电路
[P].
刘宝成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘宝成
.
中国专利
:CN213094173U
,2021-04-30
[2]
一种高压MOS管驱动电路
[P].
杨川
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨川
.
中国专利
:CN206323284U
,2017-07-11
[3]
一种NMOS高侧驱动电路
[P].
刘宝成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
刘宝成
刘宝成
刘宝成
.
中国专利
:CN112134552B
,2025-06-10
[4]
一种NMOS高侧驱动电路
[P].
刘宝成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘宝成
.
中国专利
:CN112134552A
,2020-12-25
[5]
一种高侧驱动电路
[P].
张允武
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国硅集成电路技术(无锡)有限公司
国硅集成电路技术(无锡)有限公司
张允武
;
孟智凯
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
国硅集成电路技术(无锡)有限公司
国硅集成电路技术(无锡)有限公司
孟智凯
;
陆扬扬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国硅集成电路技术(无锡)有限公司
国硅集成电路技术(无锡)有限公司
陆扬扬
;
陈中润
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
国硅集成电路技术(无锡)有限公司
国硅集成电路技术(无锡)有限公司
陈中润
.
中国专利
:CN220440691U
,2024-02-02
[6]
一种高侧MOS驱动电路及直流电压输出电路
[P].
伍泓屹
论文数:
0
引用数:
0
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伍泓屹
;
彭希浩
论文数:
0
引用数:
0
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0
彭希浩
;
陈建波
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈建波
;
蒋敏
论文数:
0
引用数:
0
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0
蒋敏
;
唐凯
论文数:
0
引用数:
0
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0
唐凯
.
中国专利
:CN210041634U
,2020-02-07
[7]
一种NMOS管高电压高速驱动电路
[P].
姜文耀
论文数:
0
引用数:
0
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0
姜文耀
;
陶勇
论文数:
0
引用数:
0
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0
陶勇
.
中国专利
:CN205792499U
,2016-12-07
[8]
一种高压继电器高侧驱动电路
[P].
肖培磊
论文数:
0
引用数:
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肖培磊
;
胡小琴
论文数:
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0
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胡小琴
;
朱琪
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱琪
.
中国专利
:CN111030673B
,2020-04-17
[9]
耐高压高速驱动电路
[P].
王晓峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海安路信息科技股份有限公司
上海安路信息科技股份有限公司
王晓峰
.
中国专利
:CN115001247B
,2024-06-04
[10]
耐高压高速驱动电路
[P].
王晓峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王晓峰
.
中国专利
:CN115001247A
,2022-09-02
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