有机场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280059854.6

申请日：

2012-12-03

公开(公告)号：

CN103975453B

公开(公告)日：

2014-08-06

发明(设计)人：

P·比雅尔 N·舍博塔莱瓦 T·魏茨 P·哈约兹

申请人：

申请人地址：

德国路德维希港

IPC主分类号：

H01L5100

IPC分类号：

C08G6112

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

王丹丹;刘金辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594325193 IPC(主分类):H01L 51/00 专利申请号:2012800598546 申请日:20121203
2020-09-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 51/00 登记生效日:20200902 变更事项:专利权人变更前权利人:巴斯夫欧洲公司变更后权利人:CLAP有限公司变更事项:地址变更前权利人:德国路德维希港变更后权利人:韩国首尔
2018-01-30	授权	授权
2014-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

有机场效应晶体管 [P].

穆罕麦德·本瓦迪 ;

塞西尔·博里 .

中国专利 :CN101924183B ,2010-12-22

[2]

有机场效应晶体管 [P].

罗纳德·厄斯特巴卡 ;

卡尔-埃里克·维伦 ;

托马斯·贝克隆德 ;

尼克莱·凯霍维尔塔 .

中国专利 :CN101652875A ,2010-02-17

[3]

有机场效应晶体管 [P].

中村善子 ;

上田将人 .

中国专利 :CN101641793A ,2010-02-03

[4]

有机场效应晶体管 [P].

筒井哲夫 .

中国专利 :CN1459877A ,2003-12-03

[5]

有机场效应晶体管 [P].

筒井哲夫 .

中国专利 :CN101409328B ,2009-04-15

[6]

制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管 [P].

亚历山大·扎希多夫 ;

比约恩·吕塞姆 ;

卡尔·利奥 ;

汉斯·克勒曼 .

中国专利 :CN104396041B ,2015-03-04

[7]

制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管 [P].

汉斯·克勒曼 ;

比约恩·吕塞姆 ;

卡尔·利奥 ;

阿伦·京特 .

中国专利 :CN105340097B ,2016-02-17

[8]

制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管 [P].

汉斯·克勒曼 ;

格雷戈尔·施瓦茨 .

中国专利 :CN107026236B ,2017-08-08

[9]

有机半导体材料和有机场效应晶体管 [P].

大场好弘 ;

佐藤和昭 ;

酒井良正 ;

荒牧晋司 .

中国专利 :CN101268566A ,2008-09-17

[10]

有机场效应晶体管门 [P].

R·布拉什 ;

W·菲克斯 ;

J·菲柯尔 .

中国专利 :CN101076893A ,2007-11-21

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