量子点薄膜及其制备方法和电池器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711468968.7

申请日：

2017-12-29

公开(公告)号：

CN109994612B

公开(公告)日：

2019-07-09

发明(设计)人：

程陆玲杨一行

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

IPC主分类号：

H01L5148

IPC分类号：

H01L5142 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

李艳丽

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-06	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 51/48 变更事项:申请人变更前:TCL集团股份有限公司变更后:TCL科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前:516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区变更后:516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2019-07-09	公开	公开
2021-04-16	授权	授权
2019-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/48 申请日:20171229

共 50 条

[1]

量子点薄膜及其制备方法和QLED器件 [P].

程陆玲 ;

杨一行 .

中国专利 :CN109988552A ,2019-07-09

[2]

量子点薄膜及其制备方法和QLED器件 [P].

程陆玲 ;

杨一行 .

中国专利 :CN109994619A ,2019-07-09

[3]

量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935665B ,2019-06-25

[4]

量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935709A ,2019-06-25

[5]

量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935736A ,2019-06-25

[6]

量子点配体交换方法、量子点薄膜的制备方法和QLED器件 [P].

聂志文 .

中国专利 :CN114672315A ,2022-06-28

[7]

量子点配体交换方法、量子点薄膜的制备方法和QLED器件 [P].

聂志文 .

中国专利 :CN114672315B ,2024-10-18

[8]

量子点薄膜及其制备方法、发光器件 [P].

陈亚文 ;

庄锦勇 ;

付东 .

中国专利 :CN120021406A ,2025-05-20

[9]

表面配体、量子点薄膜、QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

梁柱荣 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 .

中国专利 :CN109935670B ,2019-06-25

[10]

量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

梁柱荣 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 .

中国专利 :CN109935713A ,2019-06-25

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