一种高alpha相氮化硅粉体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611030404.0

申请日：

2016-11-16

公开(公告)号：

CN106430127B

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

刘光华杨增朝贺刚李江涛

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村东路29号

IPC主分类号：

C01B21068

IPC分类号：

代理机构：

北京正理专利代理有限公司 11257

代理人：

张文祎;赵晓丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-22	公开	公开
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708561580 IPC(主分类):C01B 21/068 专利申请号:2016110304040 申请日:20161116
2018-10-19	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P].

史颖颖 ;

王正 ;

王良 ;

杜盼盼 ;

薛国梁 .

中国专利 :CN119241256A ,2025-01-03

[2]

氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P].

史颖颖 ;

王正 ;

王良 ;

杜盼盼 ;

薛国梁 .

中国专利 :CN119241256B ,2025-03-25

[3]

一种高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线的制备方法 [P].

尹传强 ;

周浪 ;

李晓敏 ;

魏秀琴 ;

兰宇 .

中国专利 :CN110436934A ,2019-11-12

[4]

一种高纯高α相氮化硅粉体的制备方法 [P].

颜记朋 ;

刘久明 .

中国专利 :CN106395769A ,2017-02-15

[5]

一种高α相氮化硅粉的制备方法 [P].

蔡庆文 ;

陈正明 ;

朱成梁 .

中国专利 :CN119462167A ,2025-02-18

[6]

一种低温制备高α相氮化硅粉体的方法 [P].

吴诚 ;

刘久明 .

中国专利 :CN107662907A ,2018-02-06

[7]

一种改性高α相氮化硅粉体的制备方法 [P].

张红冉 ;

刘久明 .

中国专利 :CN107698264A ,2018-02-16

[8]

一种α相氮化硅粉体的制备方法 [P].

谢志鹏 ;

胡尊兰 .

中国专利 :CN107954723A ,2018-04-24

[9]

α相氮化硅粉体的制备方法 [P].

邓巧玉 ;

高礼文 ;

吕洪领 ;

孙林帅 ;

朱鑫宁 ;

孙兆江 .

中国专利 :CN117800742A ,2024-04-02

[10]

α相氮化硅粉体的制备方法 [P].

邓巧玉 ;

高礼文 ;

吕洪领 ;

孙林帅 ;

朱鑫宁 ;

孙兆江 .

中国专利 :CN117800742B ,2024-05-31

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