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一种富含氧空位的四氧化三钴复合材料及制备方法和应用
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110038368.7
申请日
:
2021-01-12
公开(公告)号
:
CN112885617B
公开(公告)日
:
2021-06-01
发明(设计)人
:
田进军
薛艳
刘玉洁
余新平
孙克楠
田腾飞
申请人
:
申请人地址
:
473000 河南省南阳市宛城区长江路80号
IPC主分类号
:
H01G1146
IPC分类号
:
H01G1186
代理机构
:
西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223
代理人
:
梁静
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-06-18
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 11/46 申请日:20210112
2022-07-29
授权
授权
2021-06-01
公开
公开
共 50 条
[1]
球形四氧化三钴/氧化镉纳米复合材料及其制备方法和应用
[P].
王秀华
论文数:
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0
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王秀华
;
方瑶
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方瑶
.
中国专利
:CN108172410A
,2018-06-15
[2]
一种具有P和S双空位镍钴纳米花复合材料及其制备方法和应用
[P].
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机构:
孙立贤
;
吴学虎
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机构:
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
吴学虎
;
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机构:
徐芬
;
方淞文
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机构:
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
方淞文
;
张靖
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机构:
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
张靖
;
杜毛湛
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机构:
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
杜毛湛
;
徐如丹
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机构:
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
徐如丹
;
宋领君
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机构:
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
宋领君
;
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机构:
卢俊铭
;
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机构:
高源
;
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机构:
陈翔
;
冯俞霖
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机构:
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
冯俞霖
;
彭璇
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机构:
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
彭璇
;
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机构:
陈悦
.
中国专利
:CN118335535A
,2024-07-12
[3]
一种高电容氧空位稀土掺杂四氧化三钴纳米片的制备方法和应用
[P].
周卫强
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周卫强
;
何垚
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何垚
;
徐景坤
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徐景坤
;
蒋丰兴
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蒋丰兴
;
段学民
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段学民
.
中国专利
:CN114284082A
,2022-04-05
[4]
含氧空位的复合材料及其制备方法和应用
[P].
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机构:
范宇寒
;
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机构:
陈明
;
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机构:
路雨微
.
中国专利
:CN119215914A
,2024-12-31
[5]
氧化铁-聚多巴胺-石墨烯复合材料、其制备方法及应用
[P].
田进军
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田进军
;
薛艳
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薛艳
;
付卫云
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付卫云
;
田腾飞
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田腾飞
;
余新平
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余新平
;
李翛
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李翛
.
中国专利
:CN109741964A
,2019-05-10
[6]
一种金属有机骨架衍生的四氧化三钴复合碳材料及其制备方法和应用
[P].
李佐习
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李佐习
;
曾康钰
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曾康钰
.
中国专利
:CN113611547A
,2021-11-05
[7]
一种石墨烯-聚吡咯-钴镍双金属氢氧化物复合材料及其制备方法和应用
[P].
邹勇进
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邹勇进
;
梁靖
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梁靖
;
向翠丽
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向翠丽
;
孙立贤
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孙立贤
;
徐芬
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0
徐芬
.
中国专利
:CN108766785B
,2018-11-06
[8]
四氧化三钴-石墨烯-碳纳米管复合材料及其制备方法和应用
[P].
周明杰
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周明杰
;
钟辉
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钟辉
;
王要兵
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王要兵
;
刘大喜
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刘大喜
.
中国专利
:CN104064755B
,2014-09-24
[9]
一种富含氧空位的氧化铁-三维石墨烯复合电极材料的制备方法
[P].
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机构:
辛国祥
;
佘苏辉
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机构:
内蒙古科技大学
内蒙古科技大学
佘苏辉
;
安军伟
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机构:
内蒙古科技大学
内蒙古科技大学
安军伟
;
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机构:
孙伟
;
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机构:
刘飞
;
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机构:
张邦文
.
中国专利
:CN118156061A
,2024-06-07
[10]
一种富含氧空位的氧化铁-三维石墨烯复合电极材料的制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
辛国祥
;
佘苏辉
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机构:
内蒙古科技大学
内蒙古科技大学
佘苏辉
;
安军伟
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机构:
内蒙古科技大学
内蒙古科技大学
安军伟
;
论文数:
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机构:
孙伟
;
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机构:
刘飞
;
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机构:
张邦文
.
中国专利
:CN118156061B
,2024-07-02
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