透明导电膜和制造所述透明导电膜的方法以及用于所述方法的溅射靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880008181.5

申请日：

2008-01-15

公开(公告)号：

CN101631892A

公开(公告)日：

2010-01-20

发明(设计)人：

林一郎小高秀文

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1408 H01B514 H01B1300 C04B35457

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

杨海荣;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-12-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101487563677 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2008800081815 申请公布日:20100120
2010-01-20	公开	公开

共 50 条

[1]

透明导电膜的制造方法、透明导电膜的制造装置、溅射靶及透明导电膜 [P].

汤川富之 ;

武井応树 ;

小林大士 ;

赤松泰彦 ;

清田淳也 ;

增泽健二 ;

石桥晓 .

中国专利 :CN102666909A ,2012-09-12

[2]

透明导电膜的制造方法、透明导电膜的制造装置、溅射靶及透明导电膜 [P].

汤川富之 ;

武井応树 ;

小林大士 ;

赤松泰彦 ;

清田淳也 ;

增泽健二 ;

石桥晓 .

中国专利 :CN104213085A ,2014-12-17

[3]

溅射靶、其制造方法以及透明导电膜 [P].

矢野公规 ;

井上一吉 ;

田中信夫 .

中国专利 :CN101233258A ,2008-07-30

[4]

透明导电膜及其制造方法以及用于其制造的溅射靶材 [P].

小高秀文 ;

光井彰 ;

中釜晋 .

中国专利 :CN101460651B ,2009-06-17

[5]

溅射靶和透明导电膜 [P].

井上一吉 ;

松崎滋夫 .

中国专利 :CN1283831C ,2004-09-15

[6]

ITO溅射靶及其制造方法和ITO透明导电膜及ITO透明导电膜的制造方法 [P].

挂野崇 .

中国专利 :CN106460161A ,2017-02-22

[7]

溅射靶、透明导电膜及它们的制造方法 [P].

井上一吉 ;

松崎滋夫 .

中国专利 :CN1545567A ,2004-11-10

[8]

高电阻透明导电膜用溅射靶及高电阻透明导电膜的制造方法 [P].

高桥诚一郎 ;

池田真 ;

渡边弘 .

中国专利 :CN1320155C ,2003-02-19

[9]

氧化铟-氧化铈类溅射靶及透明导电膜以及透明导电膜的制造方法 [P].

井上一吉 ;

松原雅人 ;

笘井重和 .

中国专利 :CN1930318B ,2007-03-14

[10]

透明导电膜用溅射靶 [P].

矢野智泰 ;

儿平寿博 ;

立山伸一 ;

中村信一郎 .

中国专利 :CN110546300B ,2019-12-06

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